[实用新型]气体扩散器固定框架及真空室

说明书

本实用新型公开一种气体扩散器固定框架及真空室，气体扩散器固定框架包括若干转角件和若干边框构件，转角件和边框构件形成多边形的框架，沿框架的周向，每个转角件的两端均间隔设置一个边框构件，每个边框构件的两端均间隔设置一个转角件，转角件和边框构件环绕在气体扩散器的边缘，转角件和边框构件均与气体扩散器连接。转角件与边框构件沿框架的周向间隔设置，当边框构件因高温发生膨胀后，长度增加的边框构件不会对转角件造成挤压，相较于采用一体式结构的框架，结构不易发生损坏，气体扩散器因而能始终保持平稳的状态，保证气体的均匀分散，也避免了因气体扩散器固定框架发生结构破裂而产生碎屑，提高了真空室的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及等离子体增强化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种气体扩散器固定框架及真空室。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)是在沉积室利用辉光放电使气体电离后在衬底上进行化学反应沉积的一种薄膜制备方法，其对基体的结构和物理性质影响小、膜的厚度及成分均匀性好、膜层的附着力强，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。目前，PECVD设备广泛应用于液晶显示行业、太阳能电池行业、半导体器件及大规模集成电路的制造行业等。

PECVD一般是借由将特定组分的气体引入包含有基板的真空室的方式来完成，为了实现气流的均匀分布，在真空室的顶部设有固定装置，气体扩散器通过该固定装置固定在靠近真空室顶部的位置，气体扩散器上设有大量的气体通道，使从真空室顶部输入的气体被均匀扩散在气体扩散器下方，气体被电离后生成的等离子体从而也分散在基板上方的各个位置。气体扩散器及固定装置通常具有较大的尺寸，由于反应过程的温度较高，用于固定气体扩散器的固定装置也需要承受较高的温度，固定装置在高温下会发生一定程度的膨胀，此种膨胀在固定装置的转角处集中，容易导致该处发生破裂并产生碎屑，削弱了气体扩散器的稳定性，使气体扩散器的作用无法正常发挥甚至导致真空室无法使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种气体扩散器固定框架及真空室，气体扩散器固定框架采用分体式结构，避免受热膨胀造成的局部破裂，维持气体扩散器的稳定，保证气体的均匀分散，真空室因而具有较高的可靠性。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一方面，提供一种气体扩散器固定框架，包括若干转角件和若干边框构件，所述转角件和所述边框构件形成多边形的框架，沿框架的周向，每个所述转角件的两端均间隔设置一个所述边框构件，每个所述边框构件的两端均间隔设置一个所述转角件，所述转角件和所述边框构件环绕在气体扩散器的边缘，所述转角件和所述边框构件均与所述气体扩散器连接。

作为本实用新型的一种优选方案，所述转角件包括曲面板、第一弧形板和第二弧形板，所述曲面板包括两个相对的弧形边和两个相对的直边，所述第一弧形板与一个所述弧形边连接，所述第二弧形板与另一个所述弧形边连接，所述直边与所述边框构件的端部相对。

作为本实用新型的一种优选方案，所述转角件还包括第一限位板和第二限位板，所述转角件的两端均设有所述第一限位板和所述第二限位板，所述第一限位板和所述第二限位板分别设置在所述曲面板的两面，所述第一限位板及所述第二限位板部分凸出于所述曲面板的端部，所述边框构件的端部设有凸出部，所述凸出部插入所述第一限位板和所述第二限位板之间。

作为本实用新型的一种优选方案，所述边框构件包括均呈矩形的第一平板、第二平板和第三平板，所述第二平板的一个长边与所述第一平板的一个长边连接，所述第三平板的一个长边与所述第一平板的另一个长边连接，所述第一平板的长度大于所述第二平板和所述第三平板的长度，所述凸出部由所述第一平板的端部形成。

作为本实用新型的一种优选方案，所述凸出部与所述曲面板的端部间隔设置。

作为本实用新型的一种优选方案，气体扩散器固定框架包括四个所述转角件和四个所述边框构件，所述转角件和所述边框构件形成矩形的框架。