[实用新型]P波段大功率高隔离SPDT开关

权利要求书

1.P波段大功率高隔离SPDT开关，其特征在于，该开关包括一个输入端和两个输出端，输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构；输入端通过第一电感L1接地，输入端与一个输出端之间依次串联第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5，该第一二极管D1的负极连接输入端，所述第一二极管D1与第一电容C1之间搭接第二电感L2和第二电容C2后接地，所述第一电容C1和第三电感L3之间搭接第二二极管D2的正极，第二二极管D2的负极接地，第三电感L3和第五电容C5之间依次搭接第三电容C3后接地、搭接第三二极管D3后接地、搭接第四电感L4和第四电容C4后接地、搭接第四二极管D4后接地，所述第三二极管D3的负极接地，所述第四二极管D4的负极接地。

2.根据权利要求1所述的P波段大功率高隔离SPDT开关，其特征在于，该开关为使用微带印制电路工艺制成的开关。

3.根据权利要求1所述的P波段大功率高隔离SPDT开关，其特征在于，所用二极管均为PIN二极管。

4.根据权利要求2所述的P波段大功率高隔离SPDT开关，其特征在于，所用射频印制板为Rogers的R04350B热固树脂陶瓷基板。

5.根据权利要求3所述的P波段大功率高隔离SPDT开关，其特征在于，PIN二极管为最大反压降1000V、导通电流为100mA的二极管。