[实用新型]P波段大功率高隔离SPDT开关

说明书

本实用新型提供一种P波段大功率高隔离SPDT开关，该开关包括一个输入端和两个输出端，输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构；输入端通过第一电感L1接地，输入端与一个输出端之间依次串联第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5，该第一二极管D1的负极连接输入端，第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5之间设置有多个接地子电路。本实用新型P波段大功率高隔离SPDT开关具有体积小、承受功率高、隔离高等特点。

技术领域

本实用新型涉及天线大功率信号的发射与接收技术领域，尤其是涉及一种P波段大功率高隔离SPDT开关。

背景技术

目前射频单刀双掷开关是射频控制电路的基本器件，其主要作用是控制射频微波传输系统中微波信号的通断。经常被应用于诸如：脉冲雷达，微波信号源用的脉冲调制器，以及目前公网RRU中的驻波检测与DPD校准侧，通过切换开关，实现驻波检测以及DPD校准等功能，特别是对于TDD系统而言，大功率的射频开关可以起到Tx和Rx之间的切换，实现系统设计。可见目前射频开关在通信系统中扮演者重要的角色。然而，当前市场上存在的大功率SPDT开关，有的功率不高，有的隔离低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种P波段大功率高隔离SPDT开关，解决当前市场上存在的大功率SPDT开关，有的功率不高，有的隔离低的问题。

本实用新型的发明目的通过以下技术方案来实现：

P波段大功率高隔离SPDT开关，该开关包括一个输入端和两个输出端，输入端与一个输出端之间的结构跟输入端与另一个输出端之间的结构为对称结构；输入端通过第一电感L1接地，输入端与一个输出端之间依次串联第一二极管D1、第一电容C1、第三电感L3、第五电容C5，该第一二极管D1的负极连接输入端，所述第一二极管D1与第一电容C1之间搭接第二电感L2和第二电容C2后接地，所述第一电容C1和第三电感L3之间搭接第二二极管D2的正极，第二二极管D2的负极接地，第三电感L3和第五电容C5之间依次搭接第三电容C3后接地、搭接第三二极管D3后接地、搭接第四电感L4和第四电容C4后接地、搭接第四二极管D4后接地，所述第三二极管D3的负极接地，所述第四二极管D4的负极接地。

作为进一步的技术方案，该开关为使用微带印制电路工艺制成的开关。

作为进一步的技术方案，所用二极管均为PIN二极管。

作为进一步的技术方案，所用射频印制板为Rogers的R04350B热固树脂陶瓷基板。

作为进一步的技术方案，PIN二极管为最大反压降1000V、导通电流为100mA的二极管。

与现有技术相比，本实用新型P波段大功率高隔离SPDT开关具有体积小、承受功率高、隔离高等特点；加强了申请人在大功率开关产品方面的研发技术能力，提高了产品在市场上占有率。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理框图；

图2为根据ADS仿真得出的仿真曲线图；

图3为本实用新型的仿真线路图；

图4为本实用新型的应用实施电路框图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。

实施例