[实用新型]一种全无机晶体管型X射线探测器

权利要求书

1.一种全无机晶体管型X射线探测器，包括衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道半导体层、源电极和漏电极、X射线吸收层和保护层，其特征在于，在所述X射线吸收层和所述沟道半导体层建立异质结，在X射线照射下，该异质结使所产生的电子-空穴对分离，并使所述X射线吸收层产生的载流子注入到所述沟道半导体层。

2.根据权利要求1所述的全无机晶体管型X射线探测器，其特征在于，所述栅电极形成在所述衬底上；所述栅绝缘层形成在所述栅电极上；所述源电极和所述漏电极分别形成在所述栅绝缘层上；所述沟道半导体层形成在所述栅绝缘层、所述漏电极和所述源电极上；所述X射线吸收层形成并覆盖在所述沟道半导体层上。

3.根据权利要求2所述的全无机晶体管型X射线探测器，其特征在于，所述栅电极的下表面与所述衬底相连；所述栅电极的上表面与所述栅绝缘层的下表面相连；所述栅绝缘层的上表面与所述沟道半导体层的下表面相连；所述源电极下表面、所述漏电极下表面与所述沟道半导体层的上表面相连；所述源电极上表面、所述漏电极上表面分别与所述X射线吸收层下表面相连；所述X射线吸收层的上表面与所述保护层相连。

4.根据权利要求1所述的全无机晶体管型X射线探测器，其特征在于，还包括电荷传输层，其中，所述栅电极形成在所述衬底上；所述栅绝缘层形成在所述栅电极上；所述源电极和所述漏电极分别形成在所述栅绝缘层上；所述沟道半导体层形成在所述栅绝缘层、所述漏电极和所述源电极上；所述电荷传输层形成并覆盖在所述沟道半导体层上；所述X射线吸收层形成并覆盖在所述电荷传输层上。

5.根据权利要求4所述的全无机晶体管型X射线探测器，其特征在于，所述栅电极的下表面与所述衬底相连，所述栅电极上表面与所述栅绝缘层的下表面相连；所述源电极下表面、所述漏电极下表面与所述栅绝缘层接触，所述沟道半导体层覆盖在所述漏电极、所述源电极和所述栅绝缘层之上；所述沟道半导体层与所述X射线吸收层下表面相连；所述X射线吸收层的上表面与所述保护层相连。

6.根据权利要求1所述的全无机晶体管型X射线探测器，其特征在于，所述X射线吸收层形成在所述衬底上；所述源电极和所述漏电极分别形成在所述X射线吸收层上；所述沟道半导体层形成并覆盖在所述X射线吸收层、所述漏电极和所述源电极上；所述栅绝缘层形成在所述沟道半导体上；所述栅电极形成在所述栅绝缘层上；所述保护层形成在所述栅电极上。