[实用新型]一种超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，其特征在于，包括PMOS晶体管P1～P6、NMOS晶体管N1～N6；

PMOS管P3的栅极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N3的漏极、NMOS晶体管N4的栅极、NMOS晶体管N6的漏极和PMOS管P6的漏极同时连接，连接节点为QN；

PMOS管P4的栅极、PMOS管P5的漏极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N3的栅极、NMOS晶体管N4的漏极和NMOS晶体管N5的漏极同时连接,连接节点为Q；

PMOS管P3的漏极与PMOS管P5的源极及PMOS管P1的源极同时连接，PMOS管P4的漏极与PMOS管P6的源极及PMOS管P2的源极同时连接；

PMOS管P3的源极与PMOS管P4的源极与电源的正极同时连接；

PMOS管P1的栅极、PMOS管P2的漏极、PMOS管P5的栅极和NMOS晶体管N2的漏极同时连接,连接节点为S1；

PMOS管P2的栅极、PMOS管P1的漏极、PMOS管P6的栅极和NMOS晶体管N1的漏极同时连接,连接节点为S0；

NMOS晶体管N1的源极、NMOS晶体管N2的源极、NMOS晶体管N3的源极和NMOS晶体管N4的源极与电源的负极同时连接；

NMOS晶体管N5的栅极与NMOS晶体管N6的栅极连接字线WL；

NMOS晶体管N5的源极连接位线BL，NMOS晶体管N6的源极连接位线BLN。

2.根据权利要求1所述的超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，其特征在于，版图加固时PMOS管P3与PMOS管P1和PMOS管P5之间通过浅沟槽隔离技术进行隔离，版图加固时PMOS管P4与PMOS管P2和PMOS管P6之间通过浅沟槽隔离技术进行隔离。

3.根据权利要求1所述的超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，其特征在于，版图加固时节点Q和节点S0之间插入了P阱接触，节点QN和节点S1之间插入了P阱接触。