[实用新型]晶粒拾取装置有效
申请号: | 202022726826.X | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN213635948U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 张春颖;薛兴涛;林正忠 | 申请(专利权)人: | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 拾取 装置 | ||
1.一种晶粒拾取装置,其特征在于,包括:
载台,其包含用于放置晶粒的水平台面;
设置于所述载台中的顶推元件,其包含可在垂直于所述水平台面的方向上切换伸出和缩进状态的顶针;在所述顶针处于伸出状态时,所述顶针的顶部高于所述水平台面且可在多个高度位置处保持固定;
用于从所述载台上夹取所述晶粒的真空夹具,其设置于所述载台的上方。
2.根据权利要求1所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述顶针的顶部高于所述水平台面的高度至少可在第一高度和第二高度位置处保持固定;所述第二高度大于所述第一高度,且所述第一高度和所述第二高度的差值小于所述第一高度。
3.根据权利要求1所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述顶推元件还包括用于带动所述顶针在垂直于所述水平台面的方向上伸缩的传动单元。
4.根据权利要求2所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述顶推元件还包括用于控制所述顶针在所述第一高度和所述第二高度处保持固定的持续时间的计时单元。
5.根据权利要求1所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述晶粒的尺寸大于25×25mm2,所述顶推元件的上表面暴露于所述载台的水平台面表面,且所述顶推元件的上表面为直径大于45mm的圆形台面。
6.根据权利要求5所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述顶针为多个,多个所述顶针在所述圆形台面上排布为中心对称的阵列,所述阵列中最外围的顶针距离所述圆形台面的边缘的距离为所述圆形台面半径尺寸的三分之一。
7.根据权利要求6所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述顶针为五个,其中一个所述顶针位于所述圆形台面的中心,其余四个所述顶针与位于所述圆形台面的中心的所述顶针具有相同的距离。
8.根据权利要求5所述的晶粒拾取装置,其特征在于:所述真空夹具包括真空吸嘴和位于所述真空吸嘴周边的固定结构;所述固定结构的尺寸大于20×20mm2。
9.根据权利要求1所述的晶粒拾取装置,其特征在于:还包括:
控制单元,其连接所述顶推元件和所述真空夹具,用于控制所述顶推元件顶推所述晶粒,控制所述真空夹具拾取所述晶粒,并判断所述真空夹具是否拾取到所述晶粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造