[实用新型]一种半导体电镀废水净化处理装置

权利要求书

1.一种半导体电镀废水净化处理装置，包括外壳(1)，外壳(1)内部通过第二挡板(19)和第三挡板(20)分为第一腔体(26)、反应腔(13)和沉淀腔(25)，第一腔体(26)位于最上方，其特征在于：所述第一腔体(26)中间通过第一挡板(2)将内部分为过滤腔(24)和置换腔(10)，所述置换腔(10)位于过滤腔(24)左侧，所述过滤腔(24)侧壁连接有进水口(3)，所述过滤腔(24)内部安装有两根过滤芯(8)，所述过滤腔(24)与置换腔(10)之间通过第一连接管(9)连通，所述置换腔(10)顶部连接有进料口(7)，所述置换腔(10)侧壁底部连接有第二连接管(12)，所述第二连接管(12)另一端与反应腔(13)连接，所述反应腔(13)内部顶端设有固定管(15)，所述固定管(15)另一端穿过反应腔(13)侧壁延伸到外部，所述固定管(15)上等距安装有多个喷头(14)，所述反应腔(13)远离第二连接管(12)的一侧底部与沉淀腔(25)连接，所述沉淀腔(25)内部安装有沉淀池(21)，所述沉淀腔(25)侧壁顶端安装有排液口(23)，所述排液口(23)通过管道连接沉淀池(21)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体电镀废水净化处理装置，其特征在于：所述反应腔(13)外壁安装有储液箱(17)，所述储液箱(17)顶部一侧安装有水泵(16)，所述储液箱(17)顶部另一侧连接有进液口(18)，外侧的所述固定管(15)穿过水泵(16)延伸到储液箱(17)内部。

3.根据权利要求1所述的一种半导体电镀废水净化处理装置，其特征在于：所述第二连接管(12)上安装有阀门(11)。

4.根据权利要求1所述的一种半导体电镀废水净化处理装置，其特征在于：所述沉淀腔(25)侧壁开设有侧门(22)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体电镀废水净化处理装置，其特征在于：所述过滤腔(24)顶部连接有顶板(6)，所述顶板(6)两侧安装有两块固定块(4)，两块所述固定块(4)之间贯穿连接有固定杆(5)。