[实用新型]一种功率合成隔离组件有效
申请号: | 202022747287.8 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN213460041U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 张永虎 | 申请(专利权)人: | 成都英商电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/16 | 分类号: | H01P5/16 |
代理公司: | 成都蓉创智汇知识产权代理有限公司 51276 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成都市武侯区*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 合成 隔离 组件 | ||
1.一种功率合成隔离组件,隔离组件(1)包括合成器壳体(3)、外盖板(2),合成器壳体(3)一侧设有信号合成输出端口(11),另一侧设有多个信号输入端口(10),多个信号输入端口(10)处设有对应的且位于合成器壳体(3)内的隔离器(21),其特征在于,所述合成器壳体(3)顶面设有电路基板腔(4),电路基板腔(4)内安装有匹配的电路基板(5),电路基板(5)上设有匹配的印制板电路(6),印制板电路(6)包括多个第一输入端(7)、多个第二输入端(8)及合成输出端(9),两个第一输入端(7)并联于第二输入端(8),两个第一输入端(7)之间保持平行且通过门型结构相通并汇合于所述第二输入端(8),两个第二输入端(8)通过门型结构相通并汇合于所述合成输出端(9),多个第一输入端(7)与对应的隔离器(21)电性连接,合成输出端(9)与信号合成输出端口(11)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述门型结构的转角处设有切面,门型结构的中点处设有V形槽,所述门型结构与第二输入端(8)、合成输出端(9)连接处通过Ω形结构连接。
3.根据权利要求1所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述合成器壳体(3)上设有四个与电路基板腔(4)导通的隔离器腔体(12)及负载腔(13),隔离器腔体(12)内安装有隔离器(21),负载腔(13)内安装有负载电阻(14),隔离器(21)包括由下至上堆叠的铁氧体旋磁片(15)、内导体(16)、铁氧体旋磁片(15)、接地板(17)、永磁片(18)、磁屏蔽片(19)、隔离器盖板(20),内导体(16)设有三个端口,一个端口与负载电阻(14)电性连接,一个端口与第一输入端(7)电性连接,最后一个端口与信号输入端口(10)电性连接。
4.根据权利要求1所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述电路基板(5)通过焊锡烧结在电路基板腔(4)内。
5.根据权利要求3所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述负载电阻(14)通过锡焊烧结在负载腔(13)内。
6.根据权利要求3所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述内导体(16)与印制板电路(6)的第一输入端(7)通过焊锡烧结连接。
7.根据权利要求3所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述隔离器盖板(20)周向设有外螺纹,隔离器腔体(12)内壁设有与该外螺纹匹配的内螺纹,隔离器盖板(20)与隔离器腔体(12)螺纹连接。
8.根据权利要求1所述的一种功率合成隔离组件,其特征在于,所述合成器外盖板(2)通过螺钉固定于合成器壳体(3)上表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都英商电子科技有限公司,未经成都英商电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022747287.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种一体化结构的环行器
- 下一篇:一种高场滤波隔离组件