[实用新型]一种功率合成隔离组件

说明书

本实用新型公开了一种功率合成隔离组件，包括合成器壳体、外盖板，合成器壳体设有信号合成输出端口和多个信号输入端口，多个信号输入端口处设有对应隔离器，合成器壳体顶面设有电路基板腔，电路基板腔内有匹配的电路基板，电路基板上设有匹配的印制板电路，印制板电路包括多个第一输入端、多个第二输入端及合成输出端，两个第一输入端并联于第二输入端，两个第一输入端之间保持平行且通过门型结构相通并汇合于所述第二输入端，两个第二输入端通过门型结构相通并汇合于合成输出端，多个第一输入端与隔离器连接，合成输出端与信号合成输出端口连接。本实用新型采用将两种器件一体化设计结构，结构合理，大大提高了合成器的功率容量，可靠性高。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种功率合成隔离组件。

背景技术

功率合成技术是高功率放大器研制中的关键技术，具有优异性能的功率合成电路可以实现微波固态功率放大器的大功率输出，是雷达、卫星等军事系统中功率放大器的重要组成部分。

由于单个放大器的增益及功率容量有限，在需要大功率的场合，一般将多个固态器件的输入合成腔进行功率合成，以提高输出功率。为了提高功率合成网络的可靠性，功率合成网络需要在满足端口匹配及端口间的隔离度的条件下实现大功率合成。

现有的功率合成器多采用矩形或者圆柱形谐振腔，由同轴线进行输入输出的无耗网络，但其端口间的隔离度和匹配相互矛盾，无法同时实现，而且常规微带合成器技术不同之处在于：常规技术的合成器采用电阻匹配电路，虽然电性能指标可满足，但是合成功率受小功率电阻影响大大降低了功率容量，一旦反射功率较大就会出现烧毁现象，如果不采用电阻匹配且无端口隔离，合成器的端口驻波也很差，以往两种器件采用分体式，微带嵌入式连接方式带来的体积大，接地性能差，信号泄露较大，匹配效果不佳，承受功率小和散热不好等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种功率合成隔离组件，用以解决背景技术中的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用了以下方案：

一种功率合成隔离组件，包括合成器壳体、外盖板，合成器壳体一侧设有信号合成输出端口，另一侧设有多个信号输入端口，多个信号输入端口处设有对应的且位于合成器壳体内的隔离器，所述合成器壳体顶面设有电路基板腔，电路基板腔内安装有匹配的电路基板，电路基板上设有匹配的印制板电路，印制板电路包括多个第一输入端、多个第二输入端及合成输出端，两个第一输入端并联于第二输入端，两个第一输入端之间保持平行且通过门型结构相通并汇合于所述第二输入端，两个第二输入端通过门型结构相通并汇合于所述合成输出端，多个第一输入端与对应的隔离器电性连接，合成输出端与信号合成输出端口电性连接。

与现有技术相比，本方案中，合成输出端与输入端之间保持平行结构，从而提高了隔离度，改变了现有技术中输出端与输入端之间的垂直结构，具有结构紧凑、成本低廉、可靠性高的优点，本方案的合成器电路中不采用匹配电阻，分别在输入端口设置多个隔离器形成较大路间隔离度与反射隔离度，以防止功率反射回来时过大对功放模块造成烧毁；设置多个隔离器驻波较好，有效匹配和改善合成器的驻波比，提高了合成器的承受功率容量及电性能指标，将两种器件一体化设计结构，结构合理，大大提高了合成器的功率容量，可靠性高。弥补了以往两种器件采用分体式，微带嵌入式连接方式带来的体积大，接地性能差，信号泄露较大，匹配效果不佳，和散热不好等问题。

优选的，所述门型结构的转角处设有切面，该切面用于减少回波损耗，门型结构的中点处设有V形槽，V形槽用于提高隔离度，所述门型结构与第二输入端、合成输出端连接处通过Ω形结构连接。

优选的，所述合成器壳体上设有四个与电路基板腔导通的隔离器腔体及负载腔，隔离器腔体内安装有铁氧体隔离器，负载腔内安装有负载电阻，铁氧体隔离器包括由下至上堆叠的铁氧体旋磁片、内导体、铁氧体旋磁片、接地板、永磁片、磁屏蔽片、隔离器盖板，内导体设有三个端口，一个端口与负载电阻电性连接，一个端口与第一输入端电性连接，最后一个端口与信号输入端口电性连接。