[实用新型]再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统有效
| 申请号： | 202022751346.9 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN213999046U | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 汪戬 | 申请（专利权）人： | 中盛兴业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/20;B24B37/30;B24B37/34;B24B57/02 |
| 代理公司： | 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 | 代理人： | 朱智杰 |
| 地址： | 315000 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 再生 晶圆低 磨耗 均质化 研磨 系统 | ||
1.一种再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，供以针对再生晶圆进行平坦化研磨，其特征在于，包含：
前段研磨机，具有雾面磨光垫，供以将所述再生晶圆表面与所述雾面磨光垫进行旋转接触并执行雾面磨光；及
后段研磨机，设于所述前段研磨机的一侧并具有亮面抛光垫，将雾面磨光后的所述再生晶圆传送至所述后段研磨机，并再次与所述亮面抛光垫进行旋转接触并执行亮面抛光。
2.根据权利要求1所述的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，其特征在于，还包含：至少一浆料喷嘴，设于所述前段研磨机与所述后段研磨机的一侧，供以提供研磨液至所述再生晶圆与所述雾面磨光垫之间；以及提供研磨液至所述再生晶圆与所述亮面抛光垫之间。
3.根据权利要求2所述的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，其特征在于，所述再生晶圆雾面磨光后的表面粗糙度Ra最小达0.1µm。
4.根据权利要求3所述的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，其特征在于，所述再生晶圆亮面抛光后的表面粗糙度Ra最大达1.5nm。
5.一种再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，供以针对再生晶圆进行平坦化研磨，其特征在于，包含：
驱动电源；
研磨机台，电性连接所述驱动电源，所述研磨机台具有雾面磨光模式及亮面抛光模式，所述雾面磨光模式执行于所述亮面抛光模式之前，供所述再生晶圆先执行雾面磨光，后执行亮面抛光。
6.根据权利要求5所述的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，其特征在于，还包含：浆料喷嘴，设于所述研磨机台的一侧而供以提供研磨液至所述再生晶圆欲研磨的一面。
7.根据权利要求6所述的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，其特征在于，所述再生晶圆雾面磨光后的表面粗糙度Ra最小达0.1µm。
8.根据权利要求7所述的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，其特征在于，所述再生晶圆亮面抛光后的表面粗糙度Ra最大达1.5nm。
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