[实用新型]再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统

说明书

本实用新型提供一种再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，供以针对再生晶圆进行平坦化研磨，包含前段研磨机，具有雾面磨光垫，供以将所述再生晶圆表面与所述雾面磨光垫进行旋转接触并执行雾面磨光；及后段研磨机，设于所述前段研磨机的一侧并具有亮面抛光垫，将雾面磨光后的所述再生晶圆传送至所述后段研磨机，并再次与所述亮面抛光垫进行旋转接触并执行亮面抛光。或使用研磨机台并电性连接驱动电源，所述研磨机台具有雾面磨光模式及亮面抛光模式，所述雾面磨光模式执行于所述亮面抛光模式之前，供所述再生晶圆先执行雾面磨光，后执行亮面抛光。藉此达到大幅降低晶圆研磨耗损厚度即可去除刮痕的功效。

技术领域

本实用新型与化学机械研磨领域相关，尤其是一种可大幅降低晶圆研磨耗损厚度即可去除刮痕的再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing)为现今最为广泛使用的晶圆平坦化方式。顾名思义地，此制程原理主要是利用研磨的机械原理，搭配研磨用的化学药剂，进一步将晶圆表面因制程长晶过程所造成的高低轮廓，例如半导体制程中于正面金属化后的晶背研磨需求，进一步加压研磨轮至晶圆，使其呈现平坦化并符合终端产品的电性需求。简单来说，化学机械研磨的目的为将制作完成的集成电路表面磨平，以方便下一层金属导线具有较佳的成长良率。

传统来说，化学机械研磨设备大致由设有研磨垫的高速旋转基台，搭配晶圆乘载座将晶圆固定，而使晶圆由上而下地加压至所述研磨垫，并辅以一侧的研磨浆料喷嘴将研磨液喷至研磨垫上，反复旋转、加压、喷料，直至预定晶圆厚度。因此，影响化学机械研磨的功效者不外乎上述的各种设备条件。其中任一条件的设定差异，都将可能导致晶圆破片进而影响良率表现。因此，为避免牺牲过多已部分完成金属化的晶圆因制程参数不佳导致破片，进而衍生有利用将使用过后的晶圆予以再生利用的需求，据此将研磨后的再生晶圆作为测试片之用。

进一步地，具有刮痕或使用过后的晶圆欲再次作为测试片，必须先将其表面抛光成亮面且厚度不可过薄，据此以符合半导体厂实际制程标准。但是，现今的晶圆再生工法若欲去除刮痕，至少需研磨牺牲10至60µm晶圆厚度。然而如此一来，所述再生晶圆的厚度根本不符半导体制程的使用标准，而无从达到“测试片”的目的。

有鉴于此，本发明人竭其心智苦心研究，并凭其从事所述项产业多年的累积经验，进而提出一种再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，以利有效改善现有技术的缺失。

实用新型内容

本实用新型的目的，旨在提供一种可大幅降低晶圆研磨耗损厚度而可去除刮痕的再生晶圆的均质化研磨系统。

为达上述目的，本实用新型提供一种再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，供以针对再生晶圆进行平坦化研磨，包含：前段研磨机，具有雾面磨光垫，供以将所述再生晶圆表面与所述雾面磨光垫进行旋转接触并执行雾面磨光；及后段研磨机，设于所述前段研磨机的一侧并具有亮面抛光垫，将雾面磨光后的所述再生晶圆传送至所述后段研磨机，并再次与所述亮面抛光垫进行旋转接触并执行亮面抛光。

为达上述目的，本实用新型另揭露一种再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，供以针对再生晶圆进行平坦化研磨，包含：驱动电源；研磨机台，电性连接所述驱动电源，所述研磨机台具有雾面磨光模式及亮面抛光模式，所述雾面磨光模式执行于所述亮面抛光模式之前，供所述再生晶圆先执行雾面磨光，后执行亮面抛光。

较佳地，所述再生晶圆低磨耗的均质化研磨系统，更包含：浆料喷嘴，供以提供研磨液至所述再生晶圆欲研磨的一面。

较佳地，其中，所述再生晶圆雾面磨光后的表面粗糙度Ra最小达0.1µm；所述再生晶圆亮面抛光后的表面粗糙度Ra最大达1.5nm。