[实用新型]一种封装结构及封装芯片有效
| 申请号： | 202022751717.3 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN213660390U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孙文炳;殷昌荣 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 封装 结构 芯片 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，用于晶圆封装，所述晶圆一侧设置有顶层金属层和位于所述顶层金属层四周的顶层钝化层；所述封装结构包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述顶层钝化层背离所述晶圆一侧，所述第一绝缘层包括第一开口，所述第一开口暴露出部分所述顶层金属层；
接触金属层，所述接触金属层覆盖所述第一开口暴露出的所述顶层金属层以及部分所述第一绝缘层；
第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层背离所述晶圆一侧，所述第二绝缘层包括第二开口，所述第二开口暴露出部分所述接触金属层；
连接端子，所述连接端子设置于所述接触金属层背离所述晶圆一侧，且所述连接端子覆盖部分所述第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述接触金属层沿平行于所述晶圆表面方向上的长度大于所述顶层金属层沿平行于所述晶圆表面方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述接触金属层的厚度大于或等于7.5μm。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
种子金属层，所述种子金属层位于所述接触金属层与所述第一绝缘层以及所述顶层金属层之间。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述种子金属层包括钛金属层和铜金属层；
所述铜金属层位于所述钛金属层背离所述晶圆一侧。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一开口、所述第二开口在所述晶圆上的投影为圆形，所述接触金属层在所述晶圆上的投影为同心圆，所述顶层金属层在所述晶圆上的投影为圆形，所述第一开口、所述第二开口、所述接触金属层和所述顶层金属层的几何中心为同一直线。
7.一种封装芯片，其特征在于，包括：晶圆和如权利要求1-6任一项所述的封装结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海艾为电子技术股份有限公司，未经上海艾为电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022751717.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种激光雷达高反射率响应的珠光颜料
- 下一篇：一种笔记本保护套
