[实用新型]芯片封装结构及存储器有效
| 申请号： | 202022789267.7 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN213583774U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;刘小刚 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L27/108;H01L27/115 |
| 代理公司： | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人： | 隆毅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 存储器 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括PCB基板和位于所述PCB基板上且从下至上依次设置的DRAM芯片晶圆、FOW层及FLASH芯片晶圆，其中，
所述DRAM芯片晶圆为依次堆叠的若干个，相邻所述DRAM芯片晶圆之间设有第一垫层，所述FOW层与所述DRAM芯片晶圆错位设置以构成位于所述FOW层与PCB基板之间的悬空区域，所述悬空区域内设置有位于所述PCB基板上、用于支撑所述FOW层的垫片。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述FLASH芯片晶圆为依次堆叠的若干个，相邻所述FLASH芯片晶圆之间设有第二垫层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一垫层和第二垫层的高度为10μm～20μm。
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述DRAM芯片晶圆的上表面设有若干第一端口，相邻所述DRAM芯片晶圆之间错位设置，若干所述第一端口显露于其错位位置处；
和/或，所述FLASH芯片晶圆的上表面设有若干第二端口，相邻所述FLASH芯片晶圆之间错位设置，若干所述第二端口显露于其错位位置处。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述PCB基板与底部的所述DRAM芯片晶圆之间设有第三垫层。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三垫层的高度为50μm。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述FOW层的高度为50μm～100μm。
8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述垫片为间隔设置的若干个。
9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述PCB基板的上表面设有金手指接口，所述PCB基板的下表面设有若干个锡球。
10.一种存储器，其特征在于，包括主板和权利要求1-9任意一项所述的芯片封装结构，所述芯片封装结构设置在所述主板上。
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