[实用新型]一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具有效
| 申请号： | 202022797714.3 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN214004774U | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 杨炜;贺贤汉;周毅;蒋立峰 | 申请（专利权）人： | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 cvd 装置 喷头 高压 水洗 保护 | ||
1.一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具，所述半导体设备CVD装置喷头呈盆状，盆状喷头包括中间的铝材圆柱(11)，底部的铝材底(12)和顶部的铝材边沿(13)，所述铝材底(12)上开设有多个出水孔(14)；
其特征在于：所述高压水洗保护治具呈直角三角形结构，包括底板(1)，竖板(2)和斜板(3)；
所述斜板(3)上开设有第一圆孔，所述第一圆孔的直径大于铝材圆柱(11)外径小于铝材边沿(13)外径；
所述底板(1)上开设有用于排水的第二圆孔；
所述斜板(3)底面两侧与底板(1)顶面之间设置有两块垂直于竖板(2)的支撑板(4)，所述支撑板(4)与竖板(2)之间留有间隙。
2.根据权利要求1所述的一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具，其特征在于：所述斜板(3)的倾斜角度为30-60度。
3.根据权利要求2所述的一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具，其特征在于：所述斜板(3)的倾斜角度为45度。
4.根据权利要求1所述的一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具，其特征在于：所述第一圆孔的圆周面上设置有台阶面(5)，所述铝材边沿(13)能够贴合搭放于台阶面(5)。
5.根据权利要求1或4所述的一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具，其特征在于：所述第一圆孔上端设置有矩形空洞(6)。
6.根据权利要求1所述的一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具，其特征在于：所述第二圆孔位于底板(1)中心处，两块支撑板(4)之间。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
