[实用新型]一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具有效
申请号: | 202022797714.3 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN214004774U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 杨炜;贺贤汉;周毅;蒋立峰 | 申请(专利权)人: | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;B08B3/02 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 赵建敏 |
地址: | 200444 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 cvd 装置 喷头 高压 水洗 保护 | ||
本实用新型公开了一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具,所述半导体设备CVD装置喷头呈盆状,盆状喷头包括中间的铝材圆柱,底部的铝材底和顶部的铝材边沿,所述铝材底上开设有多个出水孔;所述高压水洗保护治具呈直角三角形结构,包括底板,竖板和斜板;所述斜板上开设有第一圆孔,所述第一圆孔的直径大于铝材圆柱外径小于铝材边沿外径;所述底板上开设有用于排水的第二圆孔;所述斜板底面两侧与底板顶面之间设置有两块垂直于竖板的支撑板,所述支撑板与竖板之间留有间隙;斜面设计可以使操作人员冲洗动作更加方便,水反溅也降到最少,同时可以保证部件冲表面不遗漏;可以重复利用,提高了生产效率,保证了产品品质。
技术领域
本实用新型涉及一种清洗工艺中高压水洗专用固定保护治具,具体涉及一种半导体设备CVD(化学气相沉积)装置喷头高压水洗保护治具。
背景技术
因打磨后喷头部件表面有打磨时的产出物依附,需要对喷头部件表面进行高压水冲洗处理,在对洗净再生中的喷头部件进行高压水洗时时,通常是把部件直接放在高压水洗槽内,对喷头部件表面进行高压水洗,部件在高压水洗时会因受高压水的冲击,部件会在水洗槽内移动摩擦,清洗好的表面会产生划痕,部件平放的角度对小孔内的附着物也去除不干净,且水冲击到部件上时会产生反溅,产品的质量也不能得到有效的保证,已经满足不了越来越高端的半导体制程发展需求。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型提供一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具,斜面设计可以使操作人员冲洗动作更加方便,水反溅也降到最少,同时可以保证部件冲表面不遗漏。可以重复利用,提高了生产效率,保证了产品品质,具有使用方便,精度高,可重复使用的特点。
本实用新型的技术方案是:一种半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具,所述半导体设备CVD装置喷头呈盆状,盆状喷头包括中间的铝材圆柱,底部的铝材底和顶部的铝材边沿,所述铝材底上开设有多个出水孔;
所述高压水洗保护治具呈直角三角形结构,包括底板,竖板和斜板;
所述斜板上开设有第一圆孔,所述第一圆孔的直径大于铝材圆柱外径小于铝材边沿外径;
所述底板上开设有用于排水的第二圆孔;
所述斜板底面两侧与底板顶面之间设置有两块垂直于竖板的支撑板,所述支撑板与竖板之间留有间隙。
进一步的,所述斜板的倾斜角度为30-60度。
进一步的,所述斜板的倾斜角度为45度。
进一步的,所述第一圆孔的圆周面上设置有台阶面,所述铝材边沿能够贴合搭放于台阶面。
进一步的,所述第一圆孔上端设置有矩形空洞。
进一步的,所述第二圆孔位于底板中心处,两块支撑板之间。
本实用新型的有益效果是:
1、45度斜面设计可以使操作人员冲洗动作更加方便,水反溅也降到最少,同时可以保证部件冲表面不遗漏;
2、第一圆孔处带有台阶面可以使产品正反两面都可以平稳放置达到一具两用的效果;
3、第一圆孔上端矩形空洞解决了之前取放困难的问题,增加了作业者的方便操作。
4、高压水洗保护治具可以重复利用,提高了生产效率,保证了产品品质,具有使用方便,精度高,可重复使用的特点。
附图说明
图1为半导体设备CVD装置喷头高压水洗保护治具的结构示意图;
图2为半导体设备CVD装置喷头的结构示意图。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的