[实用新型]下电极底座装置及真空镀膜腔系统有效
申请号: | 202022807671.2 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN214327880U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 杨宝海;杨娜;潘家永;许伟伟;宋玉超;李轶军;李翔;李敦信;李义升 | 申请(专利权)人: | 营口金辰机械股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人: | 周涛 |
地址: | 115000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 底座 装置 真空镀膜 系统 | ||
下电极底座装置及真空镀膜腔系统属于太阳能电池设备技术领域,尤其涉及一种用于制造异质结太阳能电池的PECVD下电极底座装置及真空镀膜系统。本实用新型提供的一种高效率、高精准、低成本的用于异质结PECVD设备的下电极底座装置及真空镀膜腔系统。本实用新型包括的用于异质结PECVD设备的下电极底座装置,包括固定横梁,其特征在于:固定横梁上通过支脚设置有固定的下电极载片板,下电极载片板下方设置有下电极托盘组件,下电极托盘组件下方设置有升降系统。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池设备技术领域,尤其涉及一种用于制造异质结太阳能电池的PECVD下电极底座装置及真空镀膜系统。
背景技术
板式PECVD设备采用平板型的电极,上电极平板与下电极平板之间产生等离子体,反应气体在上电极板与下电极板之间通过等离子体作用产生反应,从而沉积膜层。
目前,常规的异质结PECVD设备,普遍使用载板,将硅片放置在载板上,用腔室间传送载板来实现硅片的传送,但是载板存在着很多限制和问题,包括需要高频率的在线清洗和清洗后的在线表面镀膜恢复,载板长期使用存在表面涂层磨损脱落,而导致对硅片造成不利影响,大尺寸载板还存在变形问题,载板造成的本征层腔室和掺杂层腔室之间的交叉污染而导致成膜质量差。
现有技术中无载板方案在应用上具有非常大的优势和前景,包括避免腔室交叉污染和载板带来的工艺影响,从而提高成膜质量;不需要定期停线对载板在线清洗和表面镀膜,极大提升设备利用率;不需要预热腔加热装置和价格高数量多的载板,降低设备成本。
然而由于无法满足异质结非晶硅镀膜工艺的高要求和快节拍高产能的生产要求等原因,目前的无载板传输中存在产能低和高成本的弊端,尤其在真空系统中,使用自动机械臂传送硅片的成本非常高。同时机械手臂一次抓取一片或者一列,对于目前需要单个腔室一次传送5×5到15×15的硅片数量来说,需要长时间的传送时间,长节拍严重限制设备产能。
现有技术中的下电极底座,为一个整块带加热铝平板,下面由升降电机支撑,而下电极底座的上方托起载板,升起到与上电极极板一定间距进行工艺反应。整块铝平板接地,作为PECVD的下电极。
现有技术中的下电极底座在无载板方案中存在很多的限制,包括无法实现在真空高温和存在等离子体的环境中准确快速的取片和放片,硅片无法精准放置到腔室下电极底座上,抓取硅片时机械手臂对硅片的精准定位等问题。
另外由于平板式PECVD的结构,下电极为一个平面式底座,随着腔室尺寸增大,下电极表面与上电极表面的平行度很难控制,直接影响腔室整体的镀膜均匀性。同时由于下电极底座的面积较大和加热不均匀导致的温度不均匀性,下电极板的表面不平整和边缘效应造成电极板间的电场分布不均匀,都对腔体的镀膜均匀性和成膜质量有着非常重要的影响。
发明内容
本实用新型就是针对上述问题,提供的一种高效率、高精准、低成本的用于异质结PECVD设备的下电极底座装置及真空镀膜腔系统。
为实现本实用新型的上述目的,本实用新型采用如下技术方案,本实用新型包括的用于异质结PECVD设备的下电极底座装置,包括固定横梁,其特征在于:固定横梁上通过支脚设置有固定的下电极载片板,下电极载片板下方设置有下电极托盘组件,下电极托盘组件下方设置有升降系统。
作为本实用新型下电极底座装置的一种优选方案,所述下电极载片板底部设置为楔形凸起,所述下电极托盘组件的上表面设置有与楔形凸起配合的楔形槽。
进一步的,所述楔形槽的开口处设置有限位槽。
作为本实用新型下电极底座装置的另一种优选方案,所述升降系统包括设置于下电极托盘组件底部两角和与两角相对的横边中点的三个螺旋升降机,螺旋升降机与马达相连;螺旋升降机和下电极托盘组件之间还设置有导向座。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的