[实用新型]一种用于碳化硅预对准晶圆

说明书

本实用新型公开了一种用于碳化硅预对准晶圆。所述用于碳化硅预对准晶圆通过在碳化硅晶圆的正面的边缘处设置圆环状的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层，且所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。如此，可使得所述用于碳化硅预对准晶圆在后续加工时可顺利采用传统的激光对射技术，以确定所述碳化硅晶圆的平边位置。本实用新型制备工艺简单且成本低，易于实现碳化硅晶圆预对准的目的。

技术领域

本实用新型涉及一种用于碳化硅预对准晶圆。

背景技术

碳化硅材料属于第三代宽禁带化合物半导体材料，由于其三倍于硅的禁带宽度，高的临界击穿电场、热导率和载流子饱和漂移速度，使得其成为制备电力电子领域核心功率器件绝佳的材料。

为了降低研发成本，通常都是基于传统硅衬底的半导体预对准工艺进行开发，即利用激光对射原理来确定晶圆衬底的平边位置，可是与传统硅衬底不同之处在于纯净的碳化硅衬底是一种无色透明的材料。因此通常的处理方法是在碳化硅晶圆的背面沉积一层不透明的材料，然后再继续做后续的工艺流程，但该方法在器件加工完成后需要做背面减薄，将背面不透明材料去除，同时在晶圆背面额外沉积一定厚度的材料后也会增加背面的不平整型，影响背面的吸附力以及整片晶圆的平整度；另外在对晶圆背面做沉积时，难免会对晶圆正面做吸附、传送动作，这些动作的操作过程会增加划伤晶圆正面的风险。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本实用新型的实用新型构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

实用新型内容

鉴于此，有必要提供一种成本低且制备工艺简单的用于碳化硅预对准晶圆，以利于实现碳化硅晶圆预对准的目的。

本实用新型为达上述目的所提出的技术方案如下：

一种用于碳化硅预对准晶圆，所述用于碳化硅预对准晶圆包括碳化硅晶圆及屏蔽结构，所述屏蔽结构为圆环状，且形成于所述碳化硅晶圆的正面的边缘处。

进一步地，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层中的一种。

进一步地，所述屏蔽结构还包括二氧化硅层，所述二氧化硅层形成于所述碳化硅晶圆的正面上。

进一步地，所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。

上述用于碳化硅预对准晶圆通过在碳化硅晶圆的正面的边缘处设置圆环状的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层，并设置所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。如此，可使得所述用于碳化硅预对准晶圆在后续加工时可顺利采用传统的激光对射技术，以确定所述碳化硅晶圆的平边位置。本实用新型工艺简单且成本低，易于实现碳化硅晶圆预对准的目的。

附图说明

图1是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的一较佳实施方式的结构示意图。

图2是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的一较佳实施方式的截面示意图。

图3是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法过程中形成非透光层的一较佳实施方式的截面示意图。

图4是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法过程中的刻蚀设备的结构示意图。

图5是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法中实施例一所形成的非透光层的截面示意图。

图6是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法中实施例二所形成的非透光层的截面示意图。

图7是本实用新型提供的用于碳化硅预对准晶圆的制备方法中实施例三所形成的非透光层的截面示意图。

主要元件符号说明