[实用新型]一种可拾取及测试的微器件

权利要求书

1.一种可拾取及测试的微器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面且呈阵列排布的若干个LED芯粒，相邻两个LED芯粒通过沟槽相互隔离；各所述LED芯粒包括外延层及位于所述外延层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极；

第一牺牲层，所述第一牺牲层形成于所述沟槽表面；

若干个测试电极，各所述测试电极于所述沟槽对应的第一牺牲层上方间隔分布；

与所述测试电极呈交叉分布的若干个金属桥，所述金属桥用于串联相邻两个LED芯粒的电极，且所述金属桥与所述相邻两个LED芯粒对应沟槽处的测试电极形成连接；

第二牺牲层，所述第二牺牲层包覆各所述LED芯粒使其形成独立的包覆单元；

保护层，所述保护层覆盖所有所述LED芯粒。

2.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述沟槽包括交叉形成的水平沟槽和垂直沟槽，所述测试电极分布于所述水平沟槽或垂直沟槽；

则，沿所述测试电极的分布方向，LED芯粒与相邻两个沟槽处的测试电极呈“S”型分布。

3.根据权利要求2所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述测试电极设置于所述水平沟槽与垂直沟槽两者中平行于微器件短边的沟槽的上方。

4.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述测试电极远离所述LED芯粒而设置，且所述测试电极包括不溶于碱性溶液的金属。

5.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，金属桥包括脆性金属。

6.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述第一牺牲层包括氧化物或氮化物或砷化物。

7.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述第二牺牲层的厚度小于等于所述LED芯粒的厚度。

8.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述外延层至少包括沿所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层。

9.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述测试电极包括Pt、Cr、Ti、Ni中的一种或多种金属堆叠。

10.根据权利要求1所述的可拾取及测试的微器件，其特征在于，所述金属桥包括Pt、Cr、Ti、Ni中的一种或多种金属堆叠。