[实用新型]一种可拾取及测试的微器件

说明书

本实用新型提供了可拾取及测试的微器件，通过：在所述沟槽表面设有第一牺牲层，各所述测试电极于所述沟槽对应的第一牺牲层上方间隔分布，且远离所述LED芯粒而设置；还包括与所述测试电极呈交叉分布的若干个金属桥，所述金属桥用于串联相邻两个LED芯粒的电极，且所述金属桥与所述相邻两个LED芯粒对应沟槽处的测试电极形成连接；所述第二牺牲层包覆各所述LED芯粒使其形成独立的包覆单元；从而，实现LED芯粒与测试结构的一体化，同时达到LED芯粒排列与分选的目的，以确保后续测试及转移过程的完美衔接。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管领域，尤其涉及一种可拾取及测试的微器件。

背景技术

微器件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(mini/micro LED)技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微器件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在现有LED芯片中，一般用自动测试机进行点测，但是现有技术中的点测技术通常适用于普通尺寸的LED芯片。在制造微器件的过程中，由于LED 芯粒的尺寸受限，无法通过点测技术进行光电数据的检测；目前，通常将所有LED芯粒并联或串联后，再将芯片电极整体引出以做测试，如专利 CN109065464A(专利名称：一种mini LED和micro LED的测试方法)所记载的技术方案；然而该方案虽然可以批量测试微器件，但无法一一获取每颗 LED芯粒的光电特性数据；更无法在LED芯粒转移前，通过判断其光电数据实现LED芯粒的初步筛选。如此，势必会影响转移良率。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种可拾取及测试的微器件及制作、测试、转移方法及显示器，本案由此产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可拾取及测试的微器件及制作、测试、转移方法及显示器，以解决现有技术在制造微器件的过程中，无法在转移前实现LED芯粒初步筛选的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种可拾取及测试的微器件，包括：

衬底；

位于所述衬底表面且呈阵列排布的若干个LED芯粒，相邻两个LED芯粒通过沟槽相互隔离；各所述LED芯粒包括外延层及位于所述外延层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极；

第一牺牲层，所述第一牺牲层形成于所述沟槽表面；

若干个测试电极，各所述测试电极于所述沟槽对应的第一牺牲层上方间隔分布；

与所述测试电极呈交叉分布的若干个金属桥，所述金属桥用于串联相邻两个LED芯粒的电极，且所述金属桥与所述相邻两个LED芯粒对应沟槽处的测试电极形成连接；

第二牺牲层，所述第二牺牲层包覆各所述LED芯粒使其形成独立的包覆单元；

保护层，所述保护层覆盖所有所述LED芯粒。

优选地，所述外延层至少包括沿所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层。

优选地，所述沟槽包括交叉形成的水平沟槽和垂直沟槽，所述测试电极分布于所述水平沟槽或垂直沟槽；

则，沿所述测试电极的分布方向，LED芯粒与相邻两个沟槽处的测试电极呈“S”型分布。

优选地，所述测试电极设置于所述水平沟槽与垂直沟槽两者中平行于微器件短边的沟槽的上方。

优选地，所述测试电极沿第一方向的水平高度不高于所述LED芯粒的水平高度，所述第一方向由所述衬底指向所述LED芯粒。

优选地，所述测试电极远离所述LED芯粒而设置，且所述测试电极包括不溶于碱性溶液的金属。