[实用新型]一种两结太阳能电池

权利要求书

1.一种两结太阳能电池，其特征在于，包括N型晶硅衬底，所述晶硅衬底包括正面和反面，其中：

在所述正面上由内向外依次制备有扩散P型层、第一隧穿薄膜层、第一P型半导体层、第一钝化层、第一透明导电膜层、第一N型半导体层、第二隧穿薄膜层、第二P型半导体层、第二透明导电膜层和第一抗反射层；

在所述第一P型半导体层与所述第一透明导电膜层之间制备有第一金属电极，在所述第二透明导电膜层上制备有第二金属电极，所述第二金属电极向外穿透所述第一抗反射层；

所述反面上由内到外依次制备有第三隧穿薄膜层、第二N型的半导体层、第二钝化层和第二抗反射层；

在所述第二N型半导体层上制备有与其相连接的第三金属电极，所述第三金属电极向外穿透所述第二钝化层和所述第二抗反射层。

2.如权利要求1所述的两结太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿薄膜层为IVA族元素的混合物薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜或氮氧化物薄膜，或者为金属氧化物薄膜；

所述第一隧穿薄膜层的厚度为1～5nm。

3.如权利要求1所述的两结太阳能电池，其特征在于，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层为IVA族元素的多晶掺硼薄膜或非晶掺硼薄膜，或者为IIA族元素或VIA族元素的化合物强导电极性P型半导体薄膜；

所述第一P型半导体层或所述第二P型半导体层的厚度为15～150nm。

4.如权利要求1所述的两结太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化铝薄膜、氧化硅薄膜、本征薄膜和P型重掺杂非晶IVA族元素的混合物薄膜中一种或多种膜层的叠层；

所述第一钝化层的厚度为3-5nm。

5.如权利要求1所述的两结太阳能电池，其特征在于，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为基于IVA族元素混合物多晶掺杂薄膜或非晶掺磷薄膜，或者为IIA族元素或VIA族元素的化合物强导电极性N型半导体薄膜；

所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层的厚度为15～150nm。

6.如权利要求1所述的两结太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅膜层、氧化硅薄膜、本征薄膜和N型重掺杂非晶IVA族元素薄膜中的单层膜材或多种膜层的叠层；

所述第二钝化层的厚度为3～15nm。

7.如权利要求1所述的两结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层和所述第二透明导电膜层的厚度为60～100nm。