[实用新型]一种两结太阳能电池

说明书

本申请实施例提供了一种两结太阳能电池，该电池基于N型晶硅衬底制备而成，在正面上由内向外依次制备有包括扩散P型层、第一隧穿薄膜层、第一P型半导体层、第一钝化层、第一透明导电膜层的晶硅太阳能电池单元，还包括由第一N型半导体层、第二隧穿薄膜层、第二P型半导体层和第二透明导电膜层构成的薄膜太阳能电池单元，两种太阳能电池单元通过第一金属电极串联，且整体太阳能电池通过第二金属电极和第三金属电极实现与外电路连接。由于薄膜太阳能电池单元能够将晶硅太阳能电池不能吸收的太阳光予以利用，因此两者结合能够有效提高整体太阳能转换效率，从而解决了采用单结隧穿氧化层钝化金属结构的太阳能电池的转换效率较低的问题。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种两结太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳电池是技术最成熟、应用最广泛的太阳电池，在光伏市场中的比例超过90％，并且在未来相当长的时间内都将占据主导地位。同时，因为晶体硅太阳电池本身仅对可见300-1100nm波段内的光敏感，可以产生光生电流输出到外电路，这说明对于小于300nm或大于1100nm波段的光来说，晶体硅太阳能电池无法利用，导致目前采用单结隧穿氧化层钝化金属结构的太阳能电池的转换效率较低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种两结太阳能电池，以解决采用单结隧穿氧化层钝化金属结构的太阳能电池的转换效率较低的问题。

为了解决上述问题，本申请公开了一种两结太阳能电池，包括N型晶硅衬底，所述晶硅衬底包括正面和反面，其中：

在所述正面上由内向外依次制备有扩散P型层、第一隧穿薄膜层、第一P 型半导体层、第一钝化层、第一透明导电膜层、第一N型半导体层、第二隧穿薄膜层、第二P型半导体层、第二透明导电膜层和第一抗反射层；

在所述第一P型半导体层与所述第一透明导电膜层之间制备有第一金属电极，在所述第二透明导电膜层上制备有第二金属电极，所述第二金属电极向外穿透所述第一抗反射层；

所述背面上由内到外依次制备有第三隧穿薄膜层、第二N型的半导体层、第二钝化层和第二抗反射层；

在所述第二N型半导体层上制备有与其相连接的第三金属电极，所述第三金属电极向外穿透所述第二钝化层和所述第二抗反射层。

可选的，所述扩散P型层的掺杂剂为硼、所述掺杂剂的最高掺杂浓度为10¹⁸～10²⁰cm^-3，硼浓度为10¹⁷cm^-3处的扩散结深为0.2～0.8μm。

可选的，所述第一隧穿薄膜层为IVA族元素的混合物薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜或氮氧化物薄膜，或者为金属氧化物薄膜；

所述第一隧穿薄膜层的厚度为1～5nm。

可选的，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层为IVA族元素的多晶掺硼薄膜或非晶掺硼薄膜，或者为IIA族元素或VIA族元素的化合物强导电极性P型半导体薄膜；

所述第一P型半导体层或所述第二P型半导体层的厚度为15～150nm。

可选的，所述第一钝化层包括氧化铝薄膜、氧化硅薄膜、本征薄膜和P 型重掺杂非晶IVA族元素的混合物薄膜中一种或多种膜层的叠层；

所述第一钝化层的厚度为3-5nm。

可选的，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层为基于IVA族元素混合物多晶掺杂薄膜或非晶掺磷薄膜，或者为IIA族元素或VIA族元素的化合物强导电极性N型半导体薄膜；

所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层的厚度为15～150nm。