[实用新型]一种镀膜设备

说明书

本实用新型公开了一种镀膜设备，包括工艺腔室、前缓冲腔室、后缓冲腔室、位于工艺腔室内的工艺传输机构和旋转靶材，工艺传输机构将载板从工艺腔室的前端输送到工艺腔室的后端，旋转靶材用于对载板上的工件进行镀膜；回传输送机构，包括输送方向与工艺传输机构的输送方向相反的底层传送带、在前缓冲腔室内将底层传送带输出的载板运送至工艺传输机构的前传送带、在后缓冲腔室内将工艺传输机构输出的载板运送至底层传送带上的后传送带。回传输送机构可以将镀膜后输出的载板回传到工艺传输机构的前端，实现载板上工件的多次镀膜，在满足膜层厚度和质量要求的前提下，可降低镀膜时的电源功率和工艺腔室内的环境温度，有利于提高电池的转化效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池生产设备技术领域，具体涉及一种镀膜设备。

背景技术

太阳能电池硅片的转化效率除了与太阳能光强和电池材料等因素相关，生产电池硅片的工艺起着至关重要的作用。目前，电池硅片一般在PVD设备内进行镀膜；PVD(Physical Vapor Deposition)即物理气相沉积，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使阴极上的靶材以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在物体表面沉积的过程。

现有PVD设备的工艺腔室示意图如图1所示，工艺腔室100上方是旋转阴极200，工艺腔室100底部是电机400和传送带300，用于制作太阳能电池的基底硅片放置在载板500上，载板500在传送带300的运动下向前运动，旋转阴极200在直流电源的作用下，发生电离并沉积在硅片表面，形成膜层。

但是，现有PVD设备生产电池硅片时都是进行单次镀膜，即放置硅片的载板在旋转阴极下方单次匀速通过，为了保证膜层厚度，需使用较高功率轰击旋转阴极。众所周知，电源功率越大，温度越高，而太阳能电池的转化效率随温度升高而降低。因此，需要设计一种可以降低电池硅片镀膜过程工艺温度的镀膜设备。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中电池硅片在腔室内镀膜时，电源加载功率大、工艺腔室内温度高、影响电池硅片转化效率的缺陷，从而提供一种镀膜设备。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案如下：

一种镀膜设备，包括工艺腔室以及配置在所述工艺腔室内的工艺传输机构和旋转靶材，所述工艺传输机构用于传输载板，所述旋转靶材用于对所述载板上的工件进行镀膜，其特征在于，还包括：

设置于所述工艺腔室前端的前缓冲腔室，以及设置于所述工艺腔室后端的后缓冲腔室，所述工艺传输机构将所述载板从所述工艺腔室的前端输送到所述工艺腔室的后端；

回传输送机构，包括配置在所述工艺腔室内且输送方向与所述工艺传输机构的输送方向相反的底层传送带、配置在所述前缓冲腔室内将所述底层传送带输出的所述载板运送至所述工艺传输机构前端的前传送带、以及配置在所述后缓冲腔室内将所述工艺传输机构输出的所述载板运送至所述底层传送带上的后传送带。

进一步地，所述工艺传输机构为配置在所述工艺腔室内的顶层传送带，所述底层传送带位于所述顶层传送带的下方。

进一步地，还包括后驱动电机和前驱动电机，所述后驱动电机用于驱动所述后传送带升降，所述前驱动电机用于驱动所述前传送带升降；其中，

所述后传送带在所述后驱动电机的驱动下具有与所述顶层传送带的输出端对接以便所述载板从所述顶层传送带运送到所述后传送带上的第一位置、以及与所述底层传送带的输入端对接以便所述载板从所述后传送带运送到所述底层传送带的第二位置；

所述前传送带在所述前驱动电机的驱动下具有与所述底层传送带的输出端对接以便所述载板从所述底层传送带运送到所述前传送带上的第三位置、以及与所述顶层传送带的输入端对接以便所述载板从所述前传送带运送到所述顶层传送带的第四位置。

进一步地，还包括底层传送电机，用于驱动所述底层传送带水平运动；