[实用新型]一种浸泡蚀刻设定架算盘珠有效
申请号: | 202022828225.X | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN214672513U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 徐政权;李章辉;高坤旭;李文铭;潘明明;徐国平 | 申请(专利权)人: | 重庆永信科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;G02F1/13 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 曹政 |
地址: | 402160 重庆市永川区星光大道*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浸泡 蚀刻 设定 算盘珠 | ||
本实用新型公开了一种浸泡蚀刻设定架算盘珠,具有:珠体,其横截面的两侧为平面;承载部,设置在珠体的前端上,承载部的两侧与珠体的两侧平齐,承载部的前端为弧形;珠体的后端为平面,降低基板的制损,减小基板板厚差,提高HF的使用效率,降低生产成本。
技术领域
本实用新型属于液晶显示屏技术领域,尤其涉及一种浸泡蚀刻设定架算盘珠。
背景技术
近年来随着显示屏行业的高速发展,对现实生活中各类液晶显示屏要求越来越高,液晶显示屏逐渐趋向尺寸愈大、板厚愈薄的方向发展。目前减薄行业的减薄方式主要是物理研磨和化学蚀刻,其中化学蚀刻是最主要、最重要的减薄方式。
在实现本实用新型的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
化学蚀刻方式主要分为喷淋蚀刻和浸泡蚀刻,现有的G5及以上尺寸液晶面板1.0mm薄化至0.3mm的加工工艺难度较高。喷淋蚀刻受流量影响较大,局部易出现较大板厚差的问题;现有浸泡蚀刻所用的治具之一是算盘珠,其作用是对一定数量的基板进行限位,避免基板在酸液槽内出现大幅摆动和叠片等引起的制损。
现有的算盘珠存在一定的缺陷,基板在蚀刻过程中易出现由算盘珠引起的卡空卡裂制损、基板厚度相差较大的问题。
缺点1:小/中型号算盘珠的最大限位长度分别为6mm/11.5mm,对G5及以上尺寸基板限位效果差,易造成基板齿位位置出现卡空卡裂制损(制损率>13%);
缺点2:大型号算盘珠最大限位长度为14mm,G5尺寸基板蚀刻后,齿位位置的板厚差非常大(100um以上/片),经常导致基板板厚超内控范围,无法满足量产要求;
缺点3:各型号算盘珠与基板的可接触面积较大,对HF溶液的使用废液面积要求较高,增加了生产成本;而且易造成基板齿位位置出现较大板厚差和蚀刻不均,影响基板表观良率;
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种降低基板制损,减小基板板厚差的浸泡蚀刻设定架算盘珠。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种浸泡蚀刻设定架算盘珠,具有:
珠体,其横截面的两侧为平面;
承载部,设置在所述珠体的前端上,所述承载部的两侧与珠体的两侧平齐,所述承载部的前端为弧形;所述珠体的后端为平面。
所述珠体和承载部为一体式结构。
算盘珠包括一系列的珠体,一系列的珠体中心相互连接成一个杆体。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果,降低基板的制损,减小基板板厚差,提高HF的使用效率,降低生产成本,同时实现浸泡蚀刻G5及以上尺寸液晶面板1.0mm薄化至0.3mm量产的目标。
附图说明
图1为现有技术算盘珠的结构示意图;
图2为现有技术算盘珠承载原理图;
图3为现有技术算盘珠计算原理图;
图4为本实用新型实施例中提供的浸泡蚀刻设定架算盘珠的结构示意图;
图5为图4的浸泡蚀刻设定架算盘珠的承载原理图;
图6为图4的浸泡蚀刻设定架算盘珠的计算原理图;
上述图中的标记均为:1、珠体,2、承载部。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造