[实用新型]一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构有效

专利信息
申请号: 202022842637.9 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN213583513U 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 洪佳亮 申请(专利权)人: 上海上电电容器有限公司
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/14;H01G4/32;H01G2/20
代理公司: 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人: 袁克来
地址: 201424 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 减缓 边缘 场强 畸变 电容器 元件 结构
【权利要求书】:

1.一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,包括元件本体,该元件本体采用上极板、下极板和介质层卷制而成,使得所述上极板和下极板之间夹设有所述介质层,该介质层包括若干聚丙烯薄膜,且所述上极板和下极板为凸极折边结构,其特征在于:

位于所述元件本体的最外侧的所述介质层中夹设有两个衬垫,两个所述衬垫分别位于所述元件本体的顶部和底部,使得所述元件本体的上表面和下表面平整;

所述衬垫包括若干沿所述元件本体的厚度方向叠放的绝缘衬纸。

2.根据权利要求1所述的一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,其特征在于:

所述上极板和下极板均为铝箔材质。

3.根据权利要求1所述的一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,其特征在于:

所述衬垫夹设在位于所述元件本体的最外侧的两个所述聚丙烯薄膜之间。

4.根据权利要求3所述的一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,其特征在于:

所述衬垫的厚度与所述上极板或下极板的折边厚度一致。

5.根据权利要求1所述的一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,其特征在于:

所述衬垫位于所述元件本体的长度方向的中间位置。

6.根据权利要求1所述的一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,其特征在于:

所述介质层包括三张所述聚丙烯薄膜。

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