[实用新型]一种并联式共阳极TO封装

说明书

本发明涉及TO封装设备技术领域，提供了一种并联式共阳极TO封装，包括框架，框架侧壁上连接有第一引脚，且第一引脚的两端设置有多个与框架隔开的第二引脚；框架上设置有多个金属底片，且多个金属底片通过绝缘外框相互隔开，金属底片通过引线与第二引脚进行连接。本发明克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，解决了现有的TO封装都是串联共阴极的方式导致整个线路不具备大功率大电流能力的问题，本发明通过简单的结构组合，采用并联共阳极的方式能够与共阴极的二极管同时形成整流桥使用，具备大功率大电流的能力，提高了适用范围，同时采用共阴极的框架，提高了适配效果，减少了成本，同时极大的减少了空间，具有很强的实用性。

技术领域

本发明涉及TO封装设备技术领域，具体涉及一种并联式共阳极TO封装。

背景技术

TO封装形式的半导体器件是半导体器件领域最为常见的器件封装形式之一，其中用TO封装形式封装二极管芯片是二极管器件的一种并联式共阳极TO封装常见形式。

现有技术中，采用中国专利CN201820103476.1公开了一种基于TO封装形式的串联式二极管器件，它包括至少两颗所述的二极管芯片(2)，在框架(1)的芯片焊接部设置有覆铜陶瓷片(3)，二极管芯片组中至少一颗二极管芯片(2)焊接于覆铜陶瓷片(3)表面。

上述连接方式存在以下问题：

1、对于芯片的连接采用的是串联共阴极的方式，也就是多个芯片共用一个阴极进行串联连接，造成整个线路不具备大功率大电流能力。

2、供阴极的TO封装连接结构复杂，不方便自动化加工，提高了工艺难度，同时需要采用定制的框架及加工过程中模具，在一定程度上提高了成本。同时生成成品外型尺寸跟现有TO封装外型尺寸还存在不同；

3、结构紧凑，散热困难，芯片极易因为工作发热烧坏。

为此，我们提出一种并联式共阳极TO封装。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种并联式共阳极TO封装，克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，解决了现有的TO封装都是串联共阴极的方式导致整个线路不具备大功率大电流能力的问题，本发明通过简单的结构组合，采用并联共阳极的方式能够与共阴极的二极管同时形成整流桥使用，具备大功率大电流的能力，提高了适用范围，同时采用共阴极的框架，提高了适配效果，减少了成本，同时极大的减少了空间，具有很强的实用性。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种并联式共阳极TO封装，包括框架，框架侧壁上连接有第一引脚，且第一引脚的两端设置有多个与框架隔开的第二引脚；

所述框架上设置有多个金属底片，且多个金属底片通过绝缘外框相互隔开，金属底片通过引线与第二引脚进行连接；

所述金属底片上连接有二极管芯片，多个二极管芯片通过引线与同一个第一引脚相互连接。

进一步的，所述绝缘外框为陶瓷材料。

进一步的，所述框架为金属材料一体锻造成型。

进一步的，所述框架上设置有与金属底片相对应的凹槽。

进一步的，所述框架和金属底片以及金属底片和二极管芯片之间均采用焊接连接。

进一步的，所述第二引脚和二极管芯片的数量相同，且二者相互对应。

进一步的，所述金属底片为导电金属。

(三)有益效果

本发明实施例提供了一种并联式共阳极TO封装。具备以下有益效果：