[实用新型]一种单晶炉

说明书

本实用新型提供单晶炉，该单晶炉包括单晶炉本体与供气装置，单晶炉本体包括炉盖部与炉颈部，炉颈部位于炉盖部的上方，炉颈部的内径小于炉盖部的内径；炉盖部上或其与炉颈部连接处设有第一进气口，炉颈部上设有第二进气口，供气装置包括气源、三通阀和三个供气管路；通过三通阀调节气体进入单晶炉本体的位置以调节气体进入单晶炉本体的气流方向，不同的气流方向适应不同工序下的单晶硅的形成，以增加单晶硅生长的环境要求；在单晶硅的制造过程中，当处于等径工序的时候氩气经过炉颈部后竖直向下吹向正在生长的单晶硅，可避免因从侧面吹而造成的晃动现象出现，且能极大的提高炉内洁净度，提高单晶硅的生长质量，提高生产效率。

技术领域

本实用新型涉及一种单晶炉领域，尤其涉及单晶炉。

背景技术

目前在单晶硅的生产制造过程中，为了防止单晶硅棒生长过程中环境对晶棒的影响，采用氩气作为保护气体，并在单晶炉内形成合适的氩气气流，还可以把拉晶过程中释放的杂质一起带走，另外氩气的流动方向在一定程度上影响了炉内洁净度与成晶情况。

现有的单晶炉中氩气从单晶炉的侧边吹入，但是在等径过程中，氩气侧吹的方式对晶体的成长造成不利影响；利用干泵抽气使得氩气往下流动也同样对成晶造成不利影响。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供单晶炉，该装置使得在等径过程中，氩气竖直向下吹向正在生长的单晶硅，提高炉内洁净度和成晶率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

根据本实用新型实施例的单晶炉，包括：

单晶炉本体，所述单晶炉本体包括炉盖部与炉颈部，所述炉颈部位于所述炉盖部的上方，所述炉颈部的内径小于所述炉盖部的内径；所述炉盖部上或其与所述炉颈部连接处设有第一进气口，所述炉颈部上设有第二进气口；

供气装置，所述供气装置包括：

用于提供气体的气源；

三通阀，所述三通阀上设有三个接口；

第一供气管路；

第二供气管路；

第三供气管路；

所述第一供气管路、第二供气管路和第三供气管路的一端分别与所述三个接口连通，另一端分别与所述气源、第一进气口和所述第二进气口连通；气体从所述第一供气管路进入，经过所述三通阀调节以使得气体从所述第一进气口或第二进气口输入所述单晶炉本体。

优选地，所述单晶炉本体还包括炉身部，所述炉身部固定连接所述炉盖部，所述炉身部位于所述炉盖部的下方，从所述第二进气口进入的气体在所述炉身部形成的气流方向平行于所述炉颈部的轴线。

优选地，所述炉颈部包括炉颈盖，所述炉盖部延伸到所述炉颈盖，所述第二进气口设置于所述炉颈盖上，所述炉颈盖的内径小于所述炉盖部的内径。

优选地，所述炉颈部包括法兰，所述第二进气口设置于所述法兰上，所述法兰固定连接于所述炉盖部的上方。

优选地，所述炉颈部包括副炉，所述第二进气口设置于所述副炉上，所述副炉位于所述炉盖部的上方。

优选地，所述三通阀包括控制器，通过所述控制器调节使得气体从所述第二供气管路或第三供气管路分别输向第一进气口或向第二进气口。

优选地，所述三通阀通过支架固定安装于所述炉盖部上。

优选地，所述第一供气管路、第二供气管路和第三供气管路为金属软管。

优选地，所述三通阀为直动式三通电磁阀。

本实用新型的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：