[实用新型]一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具

权利要求书

1.一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，所述半导体设备ALD氮化钛装置喷头呈盆状，盆状喷头包括中间的铝材圆柱(11)，底部的铝材底(12)和顶部的铝材边沿(13)，所述铝材底(12)上开设有多个出水孔(14)；

其特征在于：所述旋转打磨治具呈杯状，杯状治具包括治具底面(5)和治具圆周面(1)；

所述治具底面(5)上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔(7)以及用于排除积水的漏水孔(4)；且所述治具底面(5)为第一台阶面，当盆状喷头的铝材底(12)朝下铝材边沿(13)朝上放置时，铝材底(12)底面与第一台阶面贴合放置；

所述治具圆周面(1)中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面(6)，所述第二台阶面(6)的外径等于铝材边沿(13)的外径，第二台阶面(6)的内径大于铝材圆柱(11)的外径；当盆状喷头的铝材底(12)朝上铝材边沿(13)朝下放置时，铝材边沿(13)表面与第二台阶面(6)贴合放置；

所述第二台阶面(6)上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有多个定位凸起(3)，所述盆状喷头的铝材边沿(13)外表面与多个定位凸起(3)一一对应的设置有多个定位凹槽(15)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述治具圆周面(1)上对称的开设有2个取放开口槽(2)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述沉头孔(7)有4个，均匀的设置于治具底面(5)上。

4.根据权利要求3所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述4个沉头孔位于与治具底面(5)外圆周同心的第一圆上。

5.根据权利要求4所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述第一圆的半径为治具底面(5)外圆周半径的三分之一。

6.根据权利要求1所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述漏水孔(4)有8个，均匀的设置于治具底面(5)上。

7.根据权利要求6所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述8个沉头孔位于与治具底面(5)外圆周同心的第二圆上。

8.根据权利要求7所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述第二圆的半径为治具底面(5)外圆周半径的三分之二。

9.根据权利要求1所述的一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具，其特征在于：所述定位凸起(3)有4个，均匀的设置于第二台阶面(6)上方的圆周面内表面上。