[实用新型]一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具有效
申请号: | 202022868421.X | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN214265162U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 王云鹏;贺贤汉;周毅;蒋立峰 | 申请(专利权)人: | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
主分类号: | B24B41/06 | 分类号: | B24B41/06;C23C16/455 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 赵建敏 |
地址: | 200444 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 ald 氮化 装置 喷头 旋转 打磨 | ||
本实用新型公开了一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具,所述旋转打磨治具呈杯状,杯状治具包括治具底面和治具圆周面;所述治具底面上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔以及用于排除积水的漏水孔;且所述治具底面为第一台阶面;所述治具圆周面中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面,所述第二台阶面的外径等于铝材边沿的外径,第二台阶面的内径大于铝材圆柱的外径;所述第二台阶面上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有多个定位凸起,所述盆状喷头的铝材边沿外表面与多个定位凸起一一对应的设置有多个定位凹槽;治具上设有圆周定位凸起与定位凹槽配合,可以保证将盆状喷头产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。
技术领域
本实用新型涉及一种洗净浸泡治具,具体涉及一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具。
背景技术
对ALD(原子层沉积技术)氮化钛装置喷头部件进行洗净作业时,很多工艺上都用到了打磨这一步骤,但是普通的旋转打磨平台无法良好的放置固定部件,而且无法同时兼顾到各个光滑面的打磨处理,且打磨的过程很容易造成水花和污染物飞溅,给打磨工作带来很大的困扰。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型提供一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具,治具的底面设计了漏水孔,可以避免造成像普通打磨那样的产生水花飞溅的现象。治具的两个台阶面是部件两个方向打磨的置物平面,实现了治具功能的完整性。
本实用新型的技术方案是:一种半导体设备ALD氮化钛装置喷头旋转打磨治具,所述半导体设备ALD氮化钛装置喷头呈盆状,盆状喷头包括中间的铝材圆柱,底部的铝材底和顶部的铝材边沿,所述铝材底上开设有多个出水孔;
所述旋转打磨治具呈杯状,杯状治具包括治具底面和治具圆周面;
所述治具底面上开设有用于安装在旋转台上的沉头孔以及用于排除积水的漏水孔;且所述治具底面为第一台阶面,当盆状喷头的铝材底朝下铝材边沿朝上放置时,铝材底底面与第一台阶面贴合放置;
所述治具圆周面中间沿径向朝向外侧凹陷形成有第二台阶面,所述第二台阶面的外径等于铝材边沿的外径,第二台阶面的内径大于铝材圆柱的外径;当盆状喷头的铝材底朝上铝材边沿朝下放置时,铝材边沿表面与第二台阶面贴合放置;
所述第二台阶面上方的圆周面内表面沿周向均匀设置有多个定位凸起,所述盆状喷头的铝材边沿外表面与多个定位凸起一一对应的设置有多个定位凹槽。治具上设有圆周定位凸起与定位凹槽配合,可以保证将盆状喷头产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。
进一步的,所述治具圆周面上对称的开设有2个取放开口槽。方便作业人员取放喷头产品。
进一步的,所述沉头孔有4个,均匀的设置于治具底面上。
进一步的,所述4个沉头孔位于与治具底面外圆周同心的第一圆上。
进一步的,所述第一圆的半径为治具底面外圆周半径的三分之一。
进一步的,所述漏水孔有8个,均匀的设置于治具底面上。
进一步的,所述8个沉头孔位于与治具底面外圆周同心的第二圆上。
进一步的,所述第二圆的半径为治具底面外圆周半径的三分之二。
进一步的,所述定位凸起有4个,均匀的设置于第二台阶面上方的圆周面内表面上。保证受力均匀。
本实用新型的有益效果是:1、治具的底面设计了漏水孔,可以避免造成像普通打磨那样的产生水花飞溅的现象。2、治具上设有圆周定位凸起,可以保证将产品放入治具中不会产生产品和治具产生打滑的现象。3、治具的两个台阶面是部件两个方向打磨的置物平面,实现了治具功能的完整性。4、治具侧边的两个取放开口槽是为了方便作业人员取放产品。
附图说明
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