[实用新型]连续型锭生长装置

说明书

本实用新型公开连续型锭生长装置。本实用新型的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；定量供给部，通过对从上述材料供给部供给的上述固态硅材料的量进行计量，来供给规定量的固态硅材料；以及预备熔融部，通过使从上述定量供给部供给的规定量的上述固态硅材料熔融，来向上述主坩埚供给熔融状态的硅，由此可从使锭生长的主坩埚的外部以完全被熔融的熔融硅的状态向上述主坩埚供给多晶硅等的固态硅材料，因而无需在主坩埚内形成分隔壁，因此可缩小主坩埚的大小，从而可减少设备的制造费用，由于主坩埚形成一个区域，因而具有可提高主坩埚内的温度控制便捷性的效果。

技术领域

本实用新型涉及连续型锭生长装置。

背景技术

单晶硅为大多数半导体部件的基础材料，这些物质将被制造成高纯度的单晶体，这种制造方法中的一种就是丘克拉斯基法。

在这种丘克拉斯基法中使用的普通的锭生长装置以如下的方式使锭生长，即，在将单晶硅的晶种结晶装在盛装于坩埚的熔融硅的界面之后，逐渐通过提拉来使锭生长。

在这种丘克拉斯基法中，通过向坩埚内部持续注入固体状态的多晶硅来对所消耗的熔融硅进行补充并使锭持续生长的方法为连续生长型丘克拉斯基法(CCz)。即，通过向上述坩埚的内部连续供给多晶硅粒子和掺杂物来将熔融硅的界面始终维持在恒定水平，由此在锭的生长过程中对熔融硅的消耗量进行补充。

在这种连续生长型丘克拉斯基法中，通常通过在坩埚内部设置分隔壁来形成由内部坩埚和外部坩埚构成的双重坩埚，由此防止固体状态的多晶硅粘在锭上，使得以固体状态供给的多晶硅在外部坩埚完全被熔融后向内部坩埚流动。

由于这种结构的坩埚在一个坩埚内设置分隔壁，因而坩埚的大小将变大，还存在提高设备的制造费用的问题，并且，由于在一个坩埚内存在分隔壁，因而很难对隔着分隔壁的内部坩埚区域和外部坩埚区域进行温度控制。

实用新型内容

本实用新型的连续型锭生长装置的目的在于，提供可通过向坩埚的内部直接注入熔融状态的硅来使锭连续生长的连续型锭生长装置。

本实用新型的连续型锭生长装置的目的在于，提供可通过在向坩埚供给被熔融的熔融硅的供给步骤中防止因固化而被熔接或被固定的现象来提高生产率且使锭的质量达到均衡的连续型锭生长装置。

本实用新型的连续型锭生长装置的目的在于，提供通过分离用于使锭生长的主坩埚和用于使得作为锭的原料的固态硅材料熔化的预备坩埚来分别实现小型化并分别单独进行加热而减少能量消耗的连续型锭生长装置。

本实用新型的连续型锭生长装置的目的在于，提供可通过使用并未在坩埚内部设置分隔壁的单一结构的坩埚来使坩埚更加小型化并由此减少设备和热区的制造费用且可更加轻松地实现坩埚内的温度控制的连续型锭生长装置。

本实用新型一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；定量供给部，通过对从上述材料供给部供给的上述固态硅材料的量进行计量，来供给规定量的固态硅材料；以及预备熔融部，通过使从上述定量供给部供给的规定量的上述固态硅材料熔融，来向上述主坩埚供给熔融状态的硅。

并且，上述材料供给部可包括：材料储存外罩，用于储存上述固态硅材料；以及材料移送模块，用于向上述定量供给部侧供给储存于上述材料储存外罩的上述固态硅材料。

上述定量供给部可包括：第一桶，用于收容从上述材料移送模块供给的上述固态硅材料；重量检测传感器，用于对收容于上述第一桶的上述固态硅材料的量进行测定；以及定量供给部外罩，具备用于在内部设置上述第一桶的内部空间，可根据收容于上述第一桶的上述固态硅材料的量来阻断向上述第一桶供给上述固态硅材料。