[实用新型]一种晶片的清洗装置

说明书

本实用新型提供一种晶片的清洗装置，涉及半导体加工领域，该清洗装置包括：支架，驱动晶片的待清洁面在预设平面内转动；清洁刷，与晶片的待清洁面的部分区域接触，且晶片的待清洁面的旋转中心位于清洁刷与晶片的待清洁面接触的区域内；供液管路，位于晶片的待清洁面的外侧，且供液管路间隔设置有多个出液口，各出液口均朝向待清洁面，以向待清洁面喷洒清洗液；其中，待清洁面上的点距待清洁面的旋转中心越近，点被喷洒的清洗液的密度越高。这种晶片的清洗装置，能够使经过清洗后的晶片的表面有良好的一致性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制加工域，尤其涉及一种晶片的清洗装置。

背景技术

晶片是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，晶片的表面附着有一层三氧化二铝和甘油混合液，在进行后续制程之前，需要对晶片的表面进行清洁，晶片表面的一致性对后续制程的精度以及晶片性能有重要影响，其中，晶片表面的一致性是指经过清洗后，晶片表面各处的清洗效果的一致程度。在对晶片进行清洗时，需要使晶片表面具有较高的一致性，即，需要保证晶片表面的各部分的清洗效果相同。相关的清洗装置向晶片喷洒清洗液，但清洗后的晶片的表面一致性较差。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶片的清洗装置，以解决如何提升清洗后的晶片的一致性的技术问题。

本实用新型实施例提供一种晶片的清洗装置，包括：支架，驱动所述晶片的待清洁面在预设平面内转动；清洁刷，与所述晶片的待清洁面的部分区域接触，且所述晶片的待清洁面的旋转中心位于所述清洁刷与所述晶片的待清洁面接触的区域内；供液管路，位于所述晶片的待清洁面的外侧，且所述供液管路间隔设置有多个出液口，各所述出液口均朝向所述待清洁面，以向所述待清洁面喷洒清洗液；其中，所述待清洁面上的点距所述待清洁面的旋转中心越近，所述点被喷洒的清洗液的密度越高。

进一步地，所述出液口距所述待清洁面的旋转中心越近，所述出液口的孔径越大；和/或，所述待清洁面上的点距所述待清洁面的旋转中心越近，能够向所述点喷洒清洁液的所述出液口的数量越多。

进一步的，所述清洗装置还包括：喷嘴，与所述出液口连通，可开启或封闭所述出液口；其中，所述待清洁面的点距所述待清洁面的旋转中心越近，能够向所述点喷洒清洁液的开启的所述出液口的数量越多。

进一步的，所述喷嘴包括：开放式喷嘴，设置有用于与所述出液口连通的喷液口；封闭式喷嘴，设置有用于封闭所述出液口的封闭面；其中，所述待清洁面的区域距所述待清洁面的旋转中心越近，能够向所述点喷洒清洁液的各所述出液口中，与所述开放式喷嘴的喷液口连通的所述出液口的数量越多。

进一步的，所述开放式喷嘴的喷液口的数量有多个。

进一步的，所述喷嘴与所述供液管路可拆卸地连接。

进一步的，沿所述供液管路的长度方向，各所述出液口之间设置有定位凸台，且相邻的所述定位凸台的间距与所述喷嘴的宽度尺寸相同。

进一步的，所述开放式喷嘴与所述供液管路可旋转地连接。

进一步的，所述清洗装置还包括：喷嘴驱动件，与所述开放式喷嘴连接，驱动所述开放式喷嘴的喷液口在第一位置和第二位置之间切换。

进一步的，所述喷液口在所述第一位置与所述待清洁面的旋转中心的距离，小于所述喷液口在所述第二位置与所述待清洁面的旋转中心的距离；所述喷液口距所述第一位置越近，所述喷嘴驱动件驱动所述开放式喷嘴的喷液口的转速越慢。