[实用新型]一种IGCT独立门极封装结构

说明书

本实用新型涉及一种IGCT独立门极封装结构，属于IGCT技术领域。包括阴极法兰(6)、瓷环(5)和阴极铜块(1)，所述瓷环(5)上端面设有阴极法兰(6)，所述瓷环(5)下端面设有阴极密封圈(2)，所述阴极密封圈(2)底部外端设有阴极引出环(3)，所述阴极法兰(6)、瓷环(5)、阴极铜块(1)、阴极密封圈(2)和阴极引出环(3)上下同心叠合设置，所述瓷环(5)上穿设若干独立门极(4)，若干所述独立门极(4)环向均匀间隔设置。所述瓷环(5)厚度大于10mm。本申请通过厚型的瓷环取代上瓷环和下瓷环对独立门极的封装，不仅减小了电干扰性，而且解决了薄型瓷环变形和开裂的问题，提高了IGCT器件陶瓷封装外壳的成品率和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及一种IGCT独立门极封装结构，属于IGCT技术领域。

背景技术

IGCT器件是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件。IGCT器件是在原有GTO器件的基础上，通过引进透明阳极、阳极缓冲区等结构，配合具有低感换流回路的门极驱动，实现关断增益为1的类晶闸管器件。IGCT封装结构中门极都采用环状整体门极，通过上下陶瓷夹封来实现其功能。受芯片厚度的限制，上陶瓷厚度较薄，一般在4mm左右，从陶瓷制成、烧釉到金属化，要经过多次1400℃以上高温烧结，对于大尺寸薄形陶瓷来说，在此过程中的变形和开裂是生产工艺中很难跨过的门槛，影响IGCT器件陶瓷封装外壳的成品率和可靠性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种IGCT独立门极封装结构，避免薄型瓷环变形、开裂，提高IGCT器件陶瓷封装外壳的成品率和可靠性。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种IGCT独立门极封装结构，包括阴极法兰、瓷环和阴极铜块，所述瓷环上端面设有阴极法兰，所述瓷环下端面设有阴极密封圈，所述阴极密封圈底部外端设有阴极引出环，所述阴极法兰、瓷环、阴极铜块、阴极密封圈和阴极引出环上下同心叠合设置，所述瓷环上穿设若干独立门极，若干所述独立门极环向均匀间隔设置。

所述瓷环厚度大于10mm。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：一种IGCT独立门极封装结构，通过厚型的瓷环取代上瓷环和下瓷环对独立门极的封装，不仅减小了电干扰性，而且解决了薄型瓷环变形和开裂的问题，提高了IGCT器件陶瓷封装外壳的成品率和可靠性。

附图说明

图1为本实用新型实施例一种IGCT独立门极封装结构的示意图；

图2为图1的俯视图；

图3为图1中A的放大图；

图中1阴极铜块、2阴极密封圈、3阴极引出环、4独立门极、5瓷环、6阴极法兰。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图1、2、3所示，本实施例中的一种IGCT独立门极封装结构，包括阴极法兰6、瓷环5和阴极铜块1，瓷环5上端面焊接阴极法兰6，瓷环5下端面焊接阴极密封圈2，阴极密封圈2底部外端焊接阴极引出环3，阴极法兰6、瓷环5、阴极铜块1、阴极密封圈2和阴极引出环3上下同心叠合设置。瓷环5上预留12个通孔，12个通孔环向均匀间隔，任一个通孔内分别设置独立门极4，使得12个独立门极4环向均匀间隔设置。

上述瓷环5厚度大于10mm。

通过厚型的瓷环取代上瓷环和下瓷环对独立门极的封装，不仅减小了电干扰性，而且解决了薄型瓷环变形和开裂的问题，提高了IGCT器件陶瓷封装外壳的成品率和可靠性。

除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。