[实用新型]一种半导体激光器集成芯片

权利要求书

1.一种半导体激光器集成芯片，其特征在于，包括激光出射单元和激光探测单元；

所述半导体激光器集成芯片还包括：

公共外延结构；

位于所述公共外延结构一侧的第一介质结构和分立外延结构；所述分立外延结构包括相互独立的第一分立外延结构和第二分立外延结构；沿第一方向，所述第一分立外延结构和所述第二分立外延结构分别位于所述第一介质结构的两侧；沿第二方向，所述第一分立外延结构和所述第二分立外延结构位于所述公共外延结构的同一侧；所述第一方向与所述第二方向相交；

位于所述分立外延结构中的脊形结构；

位于所述公共外延结构远离所述分立外延结构一侧的公共电极；位于所述脊形结构远离所述公共外延结构一侧的分立电极，所述分立电极包括相互独立的第一分立电极和第二分立电极，所述第一分立电极位于所述第一分立外延结构远离所述公共外延结构的一侧，所述第二分立电极位于所述第二分立外延结构远离所述公共外延结构的一侧；

所述激光出射单元包括所述公共外延结构、所述第一分立外延结构、所述第一分立电极和所述公共电极，所述激光探测单元包括所述公共外延结构、所述第二分立外延结构、所述第二分立电极和所述公共电极；

沿所述第一方向，所述激光出射单元具备第一腔长，所述激光探测单元具备第二腔长，所述第一介质结构具备第三腔长，所述半导体激光器集成芯片的腔长为所述第一腔长、所述第三腔长与所述第二腔长之和。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器集成芯片，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一介质结构包括至少两个叠层设置的子介质结构；

存在相邻两个所述子介质结构的折射率不同。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器集成芯片，其特征在于，所述第一腔长范围为50-500μm；所述第二腔长可调。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器集成芯片，其特征在于，沿所述第二方向，所述公共外延结构包括叠层设置的衬底、缓冲层、下光场限制层和光栅层；

沿所述第二方向，所述分立外延结构包括叠层设置的下波导层、有源区、上波导层、上光场限制层和上接触层。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器集成芯片，其特征在于，所述上接触层和部分所述上光场限制层形成所述脊形结构；

所述半导体激光器集成芯片还包括第二介质层，所述第二介质层覆盖所述脊形结构的侧面以及脊形两侧的平台区域。