[实用新型]一种半导体激光器集成芯片

说明书

本实用新型公开了一种半导体激光器集成芯片，集成芯片包括激光出射单元和激光探测单元；集成芯片还包括：公共外延结构；位于公共外延结构一侧的第一介质结构和分立外延结构；分立外延结构包括第一分立外延结构和第二分立外延结构；激光出射单元包括公共外延结构、第一分立外延结构、第一分立电极和公共电极；激光探测单元包括公共外延结构、第二分立外延结构、第二分立电极和公共电极；激光出射单元具备第一腔长，激光探测单元具备第二腔长，第一介质结构具备第三腔长，半导体激光器集成芯片的腔长为第一腔长、第三腔长与第二腔长之和。解决激光器腔长短难解理、良率低以及输出功率不稳定，影响激光器使用场景和使用范围的技术问题。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种半导体激光器集成芯片。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料，如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)等作为工作物质的激光器，具有体积小、效率高和寿命长等优点，在激光通信、激光存储、激光打印、激光陀螺、激光显示、激光测距和激光雷达等方面得到了广泛的应用。其中，分布式反馈激光器(DistributedFeedback Laser，DFB)具有调制速率快、单模特性好等优点，受到产业界和学术界的广泛关注。

DFB激光器的调制速率与激光器电容有关，而激光器电容与电流注入区面积有关。为了提高DFB激光器的调制速率，通常采用短腔长结构，激光器的腔长约为100μm左右，如此短的腔长导致激光器很难解理，严重影响了解理激光器时的良率，最终影响了器件的生产良率；不仅如此，短腔长还使得激光器的热阻很大，器件工作时结温很高，严重影响了器件性能和可靠性。

受器件的工作环境温度和器件散热等因素影响，半导体激光器的阈值电流容易发生波动，导致器件的输出功率出现不稳定现象，忽高忽低，严重影响了半导体激光器的使用场景和使用范围。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种半导体激光器集成芯片，以解决现有技术中的半导体激光器芯片采用短腔长结构，导致激光器芯片难解理、器件的生产良率低、热阻大、影响器件的性能和可靠性以及器件的阈值电流易发生波动，导致器件的输出功率不稳定，严重影响半导体激光器的使用场景和使用范围的技术问题。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种半导体激光器集成芯片，包括激光出射单元和激光探测单元；

所述半导体激光器集成芯片还包括：

所述公共外延结构；位于公共外延结构一侧的第一介质结构和分立外延结构；所述分立外延结构包括相互独立的第一分立外延结构和第二分立外延结构；沿第一方向，所述第一分立外延结构和所述第二分立外延结构分别位于所述第一介质结构的两侧；沿第二方向，所述第一分立外延结构和所述第二分立外延结构位于所述公共外延结构的一侧；所述第一方向与所述第二方向相交；

位于所述分立外延结构中的脊形结构；

位于所述公共外延结构远离所述分立外延结构一侧的公共电极；位于所述脊形结构远离所述公共外延结构一侧的分立电极，所述分立电极包括相互独立的第一分立电极和第二分立电极，所述第一分立电极位于所述第一分立外延结构远离所述公共外延结构的一侧，所述第二分立电极位于所述第二分立外延结构远离所述公共外延结构的一侧；

所述激光出射单元包括所述公共外延结构、所述第一分立外延结构、所述第一分立电极和所述公共电极，所述激光探测单元包括所述公共外延结构、所述第二分立外延结构、所述第二分立电极和所述公共电极；

沿所述第一方向，所述激光出射单元具备第一腔长，所述激光探测单元具备第二腔长，所述半导体激光器集成芯片的腔长为所述第一腔长与所述第二腔长之和。

可选的，沿所述第一方向，所述第一介质结构包括至少两个叠层设置的子介质结构；