[实用新型]双面电镀装置

说明书

本实用新型提出了一种双面电镀装置，电镀装置具有电镀腔，待电镀对象适于平行于水平方向放置于电镀腔内，电镀装置具有连接待电镀对象的两个待电镀面的电极组，两个待电镀面的两侧均分布有电解液和阳极板；阳极板和电极组分别连接至电源的正极和负极，当电源通电时，对两个待电镀面中的至少一个进行电镀。根据本实用新型的双面电镀装置，可以同时对待电镀对象的两个待电镀面进行双面电镀，或选择其中一个待电镀面进行电镀，提高了待电镀对象的电镀效率和电镀的灵活性。而且，待电镀对象平行于水平方向放置于电镀腔内，便于待电镀对象的取片固定操作，提高了待电镀对象电镀的便利性。

技术领域

本实用新型涉及电子元件加工技术领域，尤其涉及一种双面电镀装置。

背景技术

集成电路技术在过去的几十年里一直遵循摩尔定律不断发展，即单位集成电路面积上可容纳的晶体管数目大约每隔18个月可以增加一倍。然而，当晶体管尺寸减小到纳米级后，想再通过减小晶体管尺寸来提升集成电路的性能己经变得非常困难，而随着人类生活品质的提高，电子产品随身携带多样性的发展，最终产品需依轻、薄、小、快的规格发展。

近年来，在封装技术上，已从传统的引线连接晶粒再连接印刷电路板的方式，发展到2.5D及三维(3D)的封装技术。“穿透硅通道(Through-SiliconVias)”技术的成熟化，使得可以上下多层堆叠，而凸块技术解决了上下层堆叠中互连需求。与传统的引线键合互联封装相比，硅通孔技术加上凸块技术连接，有导电好、功耗低及封装体积小的优点。在这透硅通道技术与凸块技术的发展过程中，镀金属工艺的能力具有重要关键性。

在晶圆生产过程中，如需晶圆正反面的镀金属工序，一般必需一面一工序的进行两次的电镀工序；如在2.5D，及三维(3D)的封装技术中，一般采取“穿透硅通道(Through-SiliconVias)”技术，采用铜为通孔及重布线的材料，完成晶圆正面凸块电镀工序后，先实行包覆凸块工艺，再键合玻璃载板，施行晶圆薄化(到20～200μm)，然后施行完成另外一面的重布线工艺，再实行晶圆另外一面凸块的电镀工序，解键合，去除凸块的包覆，再进行后续工序。由此可见，相关技术中，晶圆等电子元件进行电镀时，操作繁琐不便，效率低。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是如何提高晶圆双面电镀的便利性，本实用新型提出了一种双面电镀装置。

根据本实用新型实施例的双面电镀装置，所述电镀装置具有电镀腔，待电镀对象适于平行于水平方向放置于所述电镀腔内，所述电镀装置具有连接所述待电镀对象的两个待电镀面的电极组，两个所述待电镀面的两侧均分布有电解液和阳极板；

所述阳极板和所述电极组分别连接至电源的正极和负极，当所述电源通电时，对两个所述待电镀面中的至少一个进行电镀。

根据本实用新型实施例的双面电镀装置，可以同时对待电镀对象的两个待电镀面进行双面电镀，或选择其中一个待电镀面进行电镀，提高了待电镀对象的电镀效率和电镀的灵活性。而且，待电镀对象平行于水平方向放置于电镀腔内，便于待电镀对象的取片固定操作，提高了待电镀对象电镀的便利性。

根据本实用新型的一些实施例，所述双面电镀装置包括：第一壳体，所述第一壳体限定出第一腔室；第二壳体，所述第二壳体限定出第二腔室；当所述第一壳体和所述第二壳体沿竖直方向连接时，所述第一腔室和所述第二腔室构成所述电镀腔。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一壳体和所述第二壳体相对的连接端面处具有凹槽，所述待电镀对象通过固定于所述凹槽内的夹具固定于所述电镀腔内。

根据本实用新型的一些实施例，所述阳极板包括位于所述第一腔室内的第一阳极板和位于所述第二腔室内的第二阳极板，所述电极组包括位于所述第一壳体的第一电极组和位于所述第二壳体的第二电极组，所述电源包括第一电源和第二电源，所述第一阳极板和所述第一电极组分别连接于所述第一电源的正极和负极，所述第二阳极板和所述第二电极组分别连接于所述第二电源的正极和负极；