[实用新型]一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片

权利要求书

1.一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，包括：

n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；

槽线式双阻带谐振器，分布在单个硅腔谐振单元的第一金属层上或者一行上相邻两个硅腔谐振单元的第一金属层相接处，分别包括第一槽线和第二槽线，且第二槽线的一端与所述第一槽线的中点相接；

还包括输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽，其中，所述输入馈线槽和第一缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的首位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输入馈线槽与第一缺陷耦合槽连通，进行待滤波信号的输入；

所述输出馈线槽和第二缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的末位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输出馈线槽与第二缺陷耦合槽连通，输出滤波信号；

其特征在于设置激光修正桥单元，分布在第一金属层上，且加载于第一槽线和第二槽线的末端，所述激光修正桥单元由数个中间细两端粗的蝶形金属连接线组成。

2.根据权利要求1所述的具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，其特征在于所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔，所述通孔贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，且内壁表面设置有金属沉积层。

3.根据权利要求2所述的具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，其特征在于所述通孔为全通孔或半通孔。

4.根据权利要求1所述的具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，其特征在于所述n≥1，且为整数，所述n大于1时，n个硅腔谐振单元排列成矩阵，相邻两个硅腔谐振单元边缘的半通孔对应组合为全通孔。

5.根据权利要求1所述的具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，其特征在于所述第一槽线和第二槽线成形在第一金属层上，且深度与第一金属层厚度相对应。

6.根据权利要求1所述的具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，其特征在于所述输入馈线槽和输出馈线槽延伸至第一金属层边缘，所述输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽深度与第一金属层厚度对等。

7.根据权利要求1所述的具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，其特征在于所述第一槽线为U型槽线，所述第二槽线为波浪型槽线、直线型槽线和弧线型槽线中的一种。