[实用新型]一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片

说明书

本实用新型涉及一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片。属于滤波电器件技术领域。包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；其特征在于设置激光修正桥单元，分布在第一金属层上，且加载于第一槽线和第二槽线的末端，所述激光修正桥单元由数个中间细两端粗的蝶形金属连接线组成。通过在硅腔谐振单元四周刻蚀通孔，并在通孔内壁溅射金属沉积层，形成类波导，具有Q值高、损耗小的优点，利用激光点烧激光修正桥，实现了硅基滤波芯片加工后带外抑制度变差后的修正功能，且修正范围可调。

技术领域

本实用新型涉及一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片。属于滤波电器件技术领域。

背景技术

滤波器在射频／微波系统中起着选频滤波的重要作用，主要性能指标有差损、带宽、带外选择性以及电路尺寸等。传统的腔体滤波器和ＬＣ滤波器体积大、制造成本高并且不易与多芯片互连集成。

利用硅微机电系统技术加工实现的硅基滤波器在毫米波频段具有高Q值、低差损、小体积的明显优势，可以与常规单片微波集成电路(Monolithic Microwave IntegratedCircuit, MMIC)工艺相兼容等优点，不仅成为各类电子器件的发展趋势，也成为解决毫米波收发组件单片化的最佳手段。此硅基滤波芯片采用槽线式双阻带谐振器在通带两侧形成了传输零点，提高了带外抑制度，但由于加工工艺难且不稳定，未形成成熟的工艺流程，槽线式双阻带谐振器经常出现加工误差，从而导致带外传输零点偏移，带外抑制度变差，成为必须解决的问题。

发明内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，通过激光点烧激光修正桥，可调节硅基滤波芯片的带外抑制度，高效且有效，不用二次加工且可整片晶圆处理，大大降低加工成本。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片，包括：

n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；

槽线式双阻带谐振器，分布在单个硅腔谐振单元的第一金属层上或者一行上相邻两个硅腔谐振单元的第一金属层相接处，分别包括第一槽线和第二槽线，且第二槽线的一端与所述第一槽线的中点相接；

还包括输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽，其中，所述输入馈线槽和第一缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的首位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输入馈线槽与第一缺陷耦合槽连通，进行待滤波信号的输入；

所述输出馈线槽和第二缺陷耦合槽设置在硅腔谐振单元矩阵中任一行的末位硅腔谐振单元上的第一金属层上，所述输出馈线槽与第二缺陷耦合槽连通，输出滤波信号；

其特征在于设置激光修正桥单元，分布在第一金属层上，且加载于第一槽线和第二槽线的末端，所述激光修正桥单元由数个中间细两端粗的蝶形金属连接线组成。中间金属细的设计可方便激光点烧切割。

所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔，所述通孔贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，且内壁表面设置有金属沉积层。

所述通孔为全通孔或半通孔。

所述n≥1，且为整数，所述n大于1时，n个硅腔谐振单元排列成矩阵，相邻两个硅腔谐振单元边缘的半通孔对应组合为全通孔。

所述第一槽线和第二槽线成形在第一金属层上，且深度与第一金属层厚度相对应。

所述输入馈线槽和输出馈线槽延伸至第一金属层边缘，所述输入馈线槽、第一缺陷耦合槽、输出馈线槽和第二缺陷耦合槽深度与第一金属层厚度对等。

所述第一槽线为U型槽线，所述第二槽线为波浪型槽线、直线型槽线和弧线型槽线中的一种。