[实用新型]一种模块化滤波电容电路及其版图结构有效
申请号: | 202022921509.3 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN213845272U | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 崔露霞;边亚磊;刘新宇;刘芮;朱影 | 申请(专利权)人: | 思诺威科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/522 |
代理公司: | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人: | 张明明 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模块化 滤波 电容 电路 及其 版图 结构 | ||
1.一种模块化滤波电容电路,包括MIM电容模块、MOS电容模块、第一信号线、第二信号线,其特征在于,
所述模块化滤波电容电路,包括金属-绝缘体-金属电容模块、金属氧化物-半导体电容模块、第一信号线、第二信号线;MIM电容模块与MOS电容模块通过第一信号线和第二信号线实现电气连接;
所述MIM电容模块包括滤波电容,MOS电容模块包括第一PMOS管、第二PMOS管,第一NMOS管和第二NMOS管;
第二PMOS管的S端和D端均连接第一信号线,第一NMOS管的S端和D端均连接第二信号线,第一PMOS管的S端连接第一信号线,第二NMOS管的S端连接第二信号线;第一POMS管的G端和第二PMOS管的G端均连接第二NMOS管的D端,第一NMOS管的G端和第二NMOS管的G端均连接第一PMOS管的D端;
滤波电容的一端连接第一信号线,另一端连接第二信号线。
2.根据权利要求1所述的一种模块化滤波电容电路,其特征在于,
所述第二信号线接地。
3.利用权利要求1或2所述的一种模块化滤波电容电路实现的一种模块化滤波电容的版图结构,其特征在于,
所述模块化滤波电容的版图结构包括:第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层和有源层;
第一金属层与有源层形成MOS电容占用的层次;MOS电容的上极板通过通孔与第六金属层连通,MOS电容的下极板通过通孔与第四金属层连通;
第二金属层与第三金属层之间存在多个通孔实现连接;第三金属层与第四金属层连接;第四金属层形成第二信号线的通路;
第四金属层形成MIM电容下极板占用的层次;
第五金属层形成MIM电容上极板占用的层次;
第六金属层与第五金属层之间存在多个通孔实现连接;
第六金属层形成第一信号线的通路。
4.根据权利要求3所述的一种模块化滤波电容的版图结构,其特征在于,
第二金属层、第三金属层与第四金属层共同形成第二信号线的通路;
第五金属层与第六金属层共同形成第一信号线的通路。
5.根据权利要求3所述的一种模块化滤波电容的版图结构,其特征在于,
多个模块化滤波电容的版图结构进行连接时,不同版图结构中的各金属层之间对应连接;
不同版图结构中的第二金属层之间对应连接、第三金属层之间对应连接,并且与对应连接的第四金属层,共同形成第二信号线的通路;
不同版图结构中的第五金属层之间对应连接、第六金属层之间对应连接,共同形成第一信号线的通路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的