[实用新型]一种模块化滤波电容电路及其版图结构有效
申请号: | 202022921509.3 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN213845272U | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 崔露霞;边亚磊;刘新宇;刘芮;朱影 | 申请(专利权)人: | 思诺威科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/522 |
代理公司: | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人: | 张明明 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模块化 滤波 电容 电路 及其 版图 结构 | ||
本实用新型公开了一种模块化滤波电容电路及其版图结构,属于电子设计技术领域。模块化滤波电容电路及版图结构将MIM电容模块与MOS电容模块通过第一信号线和第二信号线实现电气连接,实现了MIM电容模块和MOS电容模块完全叠加,在相同的版图面积下,电容的容值大幅提升,提高了芯片的集成度;由于MOS电容模块对中频噪声的抑制作用较明显,MIM电容模块对高频噪声的抑制作用较明显,两者叠加后,在兼容两者的优点之上进一步提升了滤波能力;设计版图模块化可无缝拼接,便于多个单元快速拼接。
技术领域
本实用新型属于电子设计技术领域,更具体地,涉及一种模块化滤波电容电路及其版图结构。
背景技术
在第一信号线与第二信号线之间并接的电容可称为滤波电容,滤波电容用于滤除信号线的杂波和交流成分,压平滑脉动直流电,以及储存电能。滤波电容的取值与负载电流和对信号线耦合的大小有关,因此,在一定程度上来说电容的容值越大越好。现有技术中,会在大电容旁边并联一个容值较小的电容,称为高频去耦电容,这也是滤波的一种形式,用来滤除信号线中的高频杂波以免电路产生自激,从而稳定电路工作状态。总之,这些不同类型的滤波电容,目的都是在第一信号线与第二信号线之间形成高频低阻抗,从而达到较佳的滤波效果。
现有技术中,在第一信号线与第二信号线之间插入滤波电容,使得信号线与其滤波电容分开布置,如图1所示,这会导致在版图结构中,没有足够大小的空间去布置足够数量的滤波电容,从而影响滤波效果,此外,为避免信号线受到干扰,在第一信号线和第二信号线的旁边不允许其它信号线的存在,从而进一步导致版图面积极大的浪费,严重降低版图面积利用率。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术所存在的不足而提出了一种模块化滤波电容电路及其版图结构,使得第一信号线、第二信号线和滤波电容合并布置。
本实用新型提出如下技术方案。
一种模块化滤波电容电路,包括:金属-绝缘体-金属(metal insulator metal,MIM)电容模块、金属氧化物-半导体(Metal-Oxide Semiconductor,MOS)电容模块、第一信号线、第二信号线;其中,MIM电容模块与MOS电容模块通过第一信号线和第二信号线实现电气连接;
MIM电容模块包括滤波电容,MOS电容模块包括第一PMOS管、第二PMOS管,第一NMOS管和第二NMOS管;
第二PMOS管的S端和D端均连接第一信号线,第一NMOS管的S端和D端均连接第二信号线,第一PMOS管的S端连接第一信号线,第二NMOS管的S端连接第二信号线;第一POMS管的G端和第二PMOS管的G端均连接第二NMOS管的D端,第一NMOS管的G端和第二NMOS管的G端均连接第一PMOS管的D端;
滤波电容的一端连接第一信号线,另一端连接第二信号线。
优选地,
第二信号线接地。
一种模块化滤波电容的版图结构包括:第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层和有源层。
优选地,
第一金属层与有源层形成MOS电容占用的层次;MOS电容的上极板通过通孔与第六金属层连通,MOS电容的下极板通过通孔与第四金属层连通;
第二金属层与第三金属层之间存在多个通孔实现连接;第三金属层与第四金属层连接;第四金属层形成第二信号线的通路;
第四金属层形成MIM电容下极板占用的层次;
第五金属层形成MIM电容上极板占用的层次;
第六金属层与第五金属层之间存在多个通孔实现连接;
第六金属层形成第一信号线的通路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思诺威科技(无锡)有限公司,未经思诺威科技(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022921509.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于煤炭运输机械的卡接固定装置
- 下一篇:一种铝模板生产用边角打磨装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的