[实用新型]一种用于激光测距的低成本APD高压电路

权利要求书

1.一种用于激光测距的低成本APD高压电路，其特征在于，包括控制IC、开关管Q1、电感L1、电容C0、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、输入电压及HV-RX信号端；

其中，所述控制IC的第二端依次与所述控制IC的第三端、所述电感L1的一端、所述电容C1的一端、所述电容C0的一端及输入电压连接，所述电容C0的另一端依次与所述电容C1的另一端及所述控制IC的第四端连接并接地，所述控制IC的第五端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端依次与所述电阻R2的一端及所述开关管Q1的栅极连接，所述电阻R2的另一端与所述开关管Q1的源极连接并接地，所述开关管Q1的漏极依次与所述电感L1的另一端、所述二极管D1的正极及所述电容C3的一端连接，所述二极管D1的负极依次与所述电容C2的一端及所述二极管D2的正极连接，所述电容C2的另一端接地，所述二极管D2的负极依次与所述电容C3的另一端及所述二极管D3的正极连接，所述二极管D3的负极依次与所述电容C4的一端、所述电容C5的一端、所述电阻R3的一端及HV-RX信号端连接，所述电容C4的另一端与所述电容C5的另一端连接并接地，所述电阻R3的另一端依次与所述电阻R4的一端及所述控制IC的第一端连接，所述电阻R4的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种用于激光测距的低成本APD高压电路，其特征在于，所述控制IC设置为PWM升压控制IC。

3.根据权利要求1所述的一种用于激光测距的低成本APD高压电路，其特征在于，所述开关管Q1设置为NMOS场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的一种用于激光测距的低成本APD高压电路，其特征在于，所述二极管D1、所述二极管D2及所述二极管D3均设置为肖特基二极管。

5.根据权利要求1所述的一种用于激光测距的低成本APD高压电路，其特征在于，所述电容C0及所述电容C1均设置为输入滤波电容，所述电容C4及所述电容C5均设置为输出滤波电容。