[实用新型]一种用于激光测距的低成本APD高压电路

说明书

本实用新型公开了一种用于激光测距的低成本APD高压电路，包括控制IC、开关管Q1、电感L1、电容C0、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、输入电压及HV‑RX信号端。有益效果：本实用新型相对于普通的升压电路增加的成本可以忽略不计，且电路简洁，总体满足成本及空间限制的要求，通过满足最佳APD内增益所需的偏置高压要求，从而提升了激光测距产品测距的性能。

技术领域

本实用新型涉及用于激光测距的电子电源领域，具体来说，涉及一种用于激光测距的低成本APD高压电路。

背景技术

在便携式激光测距设备/工具中，由于采用电池供电及空间的限制，要求 APD偏置高压电路简洁占用空间较小，而激光接收放大模块要得到较高的信噪比，就要求APD的偏置电压很高，例如AD500-9的最佳偏置高压为180V，但现有的DC-DC芯片由于占空比的限制，如果采用普通升压结构，如果5V 输入，最多得到100V的输出，而一些在常规升压电路原理的基础上再采用变压器升压虽然能得到100V以上的输出高压，但变压器体积大且导致成本增加，在便携式激光测距设备/工具中没有实际应用意义，这样现在的激光测距APD 高压电路方案中不得以采用APD的偏置高压为100V以下，这样是牺牲信噪比，从而牺牲测量距离的重大性能指标。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种用于激光测距的低成本 APD高压电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

为此，本实用新型采用的具体技术方案如下：

一种用于激光测距的低成本APD高压电路，包括控制IC、开关管Q1、电感L1、电容C0、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管 D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、输入电压及HV-RX信号端；所述控制IC的第二端依次与所述控制IC的第三端、所述电感L1的一端、所述电容C1的一端、所述电容C0的一端及输入电压连接，所述电容C0的另一端依次与所述电容C1的另一端及所述控制IC的第四端连接并接地，所述控制IC的第五端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端依次与所述电阻R2的一端及所述开关管Q1的栅极连接，所述电阻R2 的另一端与所述开关管Q1的源极连接并接地，所述开关管Q1的漏极依次与所述电感L1的另一端、所述二极管D1的正极及所述电容C3的一端连接，所述二极管D1的负极依次与所述电容C2的一端及所述二极管D2的正极连接，所述电容C2的另一端接地，所述二极管D2的负极依次与所述电容C3的另一端及所述二极管D3的正极连接，所述二极管D3的负极依次与所述电容C4 的一端、所述电容C5的一端、所述电阻R3的一端及HV-RX信号端连接，所述电容C4的另一端与所述电容C5的另一端连接并接地，所述电阻R3的另一端依次与所述电阻R4的一端及所述控制IC的第一端连接，所述电阻R4的另一端接地。

进一步的，所述控制IC设置为PWM升压控制IC。

进一步的，所述开关管Q1设置为NMOS场效应晶体管。

进一步的，所述二极管D1、所述二极管D2及所述二极管D3均设置为肖特基二极管。

进一步的，所述电容C0及所述电容C1均设置为输入滤波电容，所述电容C4及所述电容C5均设置为输出滤波电容。

本实用新型的有益效果为：本实用新型在普通DC-DC芯片基础上采用倍压原理得到200V以内的输出高压，由于采用的倍压电路方案相对于普通的升压电路只增加了2个小贴片电容与2个贴片二极管，增加的成本可以忽略不计，且电路简洁，总体满足成本及空间限制的要求，通过满足最佳APD偏置高压要求，从而提升了激光测距产品测距的性能。

附图说明