[实用新型]一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置

说明书

本实用新型涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置，包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸的气缸杆连接件的端头；本实用新型能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶体加工领域，特别涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置。

背景技术

单晶碳化硅（以下简称SiC）具有大的禁带宽度、高临界击穿强度、高电子迁移率、高热导率等特性，在微电子和光电子领域有独特的作用。SiC是一种典型的硬脆材料，莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，使得其单晶片的制造过程更加困难，而作为SiC晶片制造过程中切割工序已成为其制造过程关键工序。目前单块SiC单晶的厚度约为10-30㎜，通过多线切割机将晶锭切割成晶片，多线切割机有效切割区域宽度在30-50㎝，在单晶切割过程中，单晶需要与树脂条或其它材料进行粘接，再将树脂条固定在切割设备专用夹具上，为保证多线切割过程中SiC晶体的晶向，通常在多线切割工序中在切割区域内只切割一块晶锭，切割一块四英寸SiC的时间约为5-10h。目前第三代半导体材料SiC晶体切割工艺，需要一次切割多块SiC晶锭，传统的单块切割方式不太适用。因此，如何在满足晶片晶向等要求的情况下在有效切割区域内同时切割多块SiC晶锭具有重要的意义。本实用新型包含一种可应用多块粘接SiC晶锭的装置，有效解决切割多块晶锭和保持多块晶锭晶向的一致性等问题。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置，能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。

本实用新型的技术方案是：一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置，其特征在于：包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；在所述固定杆上设置卡槽Ⅰ，在所述基准杆上设置卡槽Ⅱ，在所述晶锭垫块的中心设置定位凸台；所述定位孔设置在底座的中心，底座设置在所述气缸支撑架底板的中心，所述气缸设置在气缸支撑架横板的中心；晶锭垫块通过定位凸台和定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；所述定位块通过固定杆上的卡槽Ⅰ、内螺纹盲孔和螺栓设置在固定杆上，所述滑块通过基准杆上的卡槽Ⅱ、内螺纹通孔和顶紧螺钉设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉；所述晶锭压块设置在气缸的气缸杆连接件的端头；

定位块的高度和滑块的高度均不大于晶锭的厚度；

每根固定杆上的定位块至少两个，基准杆上的滑块至少两个。

本实用新型有益效果是：本实用新型适应于不同大小尺寸带参考边的圆形晶锭，同时可以对多块晶锭进行粘接，固定杆及基准杆的设置确保将多块晶锭粘接在一个圆柱体内保证每块晶锭同轴，顶紧螺钉能将每块晶锭的参考面保持在同一平面内，气缸能将晶锭与晶锭粘接的胶水压平，使晶锭满足工艺切割要求。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型定位块及定位孔位置示意图；

图3是本实用新型晶锭垫块结构示意图；

图4是本实用新型基准杆结构示意图；

图5是本实用新型滑块结构示意图；

图6是本实用新型固定杆结构示意图；