[实用新型]耐高温保护膜与ITO导电膜

权利要求书

1.一种耐高温保护膜，专用于ITO导电膜制程保护，其特征在于：包括保护膜基材层（10）、覆盖于所述保护膜基材层（10）上的胶黏剂层（11）、覆盖于所述胶黏剂层（11）上使用时撕除的离型保护膜，所述保护膜基材层（10）厚度为23um-188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%，所述胶黏剂层（11）为丙烯酸类胶黏剂层，厚度为4-30μm。

2.根据权利要求1所述的耐高温保护膜，其特征在于：所述胶黏剂层（11）厚度为8-15μm。

3.一种ITO导电膜，使用了权利要求1-2中任意一项所述的耐高温保护膜，其特征在于：还包括ITO导电膜本体，所述耐高温保护膜贴附于ITO导电膜本体上，ITO导电膜本体包括导电膜基材层（13）、分别覆盖于所述导电膜基材层（13）正反两面的ITO层（14）和HC层（12），所述胶黏剂层（11）黏结覆盖在所述HC层（12）上，所述保护膜基材层（10）与所述导电膜基材层（13）材质相同。

4.根据权利要求3所述的ITO导电膜，其特征在于：所述保护膜基材层（10）为PET层、COP层、PI层或PC层。

5.根据权利要求4所述的ITO导电膜，其特征在于：涂布有所述胶黏剂层（11）的保护膜基材层（10）经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1，与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配：-0.2%≤（TD1-TD2）≤0.3%，-0.2%≤（MD1-MD2）≤0.3%。

6.根据权利要求5所述的ITO导电膜，其特征在于：涂布有所述胶黏剂层（11）的保护膜基材层（10）经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1，与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配：-0.1%≤（TD1-TD2）≤0.1%，-0.1%≤（MD1-MD2）≤0.1%。

7.根据权利要求4所述的ITO导电膜，其特征在于：经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层（11）对HC面剥离力5-40g/25mm，HC面表面达因值≥32dyn。

8.根据权利要求7所述的ITO导电膜，其特征在于：经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层（11）对HC面剥离力为10-30g/25mm，HC面表面达因值≥34dyn。

9.根据权利要求8所述的ITO导电膜，其特征在于：经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层（11）对HC面剥离无残胶。