[实用新型]耐高温保护膜与ITO导电膜

说明书

本实用新型公开了一种耐高温保护膜与ITO导电膜，一种耐高温保护膜专用于ITO导电膜制程保护，包括保护膜基材层、覆盖于所述保护膜基材层上的胶黏剂层、覆盖于所述胶黏剂层上使用时撕除的离型保护膜，所述保护膜基材层厚度为23um‑188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%，所述胶黏剂层为丙烯酸类胶黏剂层，厚度为4‑30μm，采用了本方案胶黏剂层的耐高温保护膜，用于ITO导电膜的非ITO面制程保护,与使用同材质基材的ITO导电膜具有较相匹配的热收缩率，可大大提高制程良率，确保ITO导电膜应用制程的平整性，保障ITO导电膜应用制程顺畅；并具有优异的耐温性能，经过ITO导电膜应用制程高温，避免耐高温保护膜分离或撕除困难，无残胶转移到ITO膜上。

技术领域

本实用新型涉及导电膜领域，尤其涉及耐高温保护膜与ITO导电膜。

背景技术

导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品；导电膜分为ITO导电玻璃、ITO导电膜及非ITO导电膜三大类；其中，ITO导电膜应用最为广泛。在制作工艺中，ITO导电膜的主体基材表面不耐划伤、易受污染，因此在制作导电膜的时候需要通过一个特定的保护膜对其表面起防止划伤和污染的作用。

ITO导电膜由于制作工艺的特殊性，制程中需经受高温处理，高温处理过程对于产品是一个极其严格的考验，第一，高温处理的时候保护膜的胶水容易产生残胶和颗粒状不良导致成品质量不合格，第二，高温处理过程极易造成ITO导电膜发生翘曲，严重影响产品质量甚至造成残次品。所以，要推广ITO导电膜，克服上述不利已经迫在眉睫。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种耐高温保护膜。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种耐高温保护膜，专用于ITO导电膜制程保护，包括保护膜基材层、覆盖于所述保护膜基材层上的胶黏剂层、覆盖于所述胶黏剂层上使用时撕除的离型保护膜，所述保护膜基材层厚度为23um-188um，高温测试150℃*1h*3次，每次静置30min以上，雾度变化△H≤3%，所述胶黏剂层为丙烯酸类胶黏剂层，厚度为4-30μm。

在某些实施方式中，所述胶黏剂层厚度为8-15μm。

本实用新型还要解决的技术问题是提供一种包含所述耐高温保护膜的ITO导电膜。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种ITO导电膜，包含所述耐高温保护膜，还包括ITO导电膜本体，所述耐高温保护膜贴附于ITO导电膜本体上，ITO导电膜本体包括导电膜基材层、分别覆盖于所述导电膜基材层正反两面的ITO层和HC层，所述胶黏剂层黏结覆盖在所述HC层上，所述保护膜基材层与所述导电膜基材层材质相同。

在某些实施方式中，所述保护膜基材层为PET层、COP层、PI层或PC层。

在某些实施方式中，涂布有所述胶黏剂层的保护膜基材层经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1，与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配：-0.2%≤（TD1-TD2）≤0.3%，-0.2%≤（MD1-MD2）≤0.3%。

在某些实施方式中，涂布有所述胶黏剂层的保护膜基材层经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1，与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配：-0.1%≤（TD1-TD2）≤0.1%，-0.1%≤（MD1-MD2）≤0.1%。

在某些实施方式中，经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层对HC面剥离力5-40g/25mm，HC面表面达因值≥32dyn。

在某些实施方式中，经耐高温测试，150℃*1h*3次，每次静置30min以上，所述胶黏剂层对HC面剥离力为10-30g/25mm，HC面表面达因值≥34dyn。