[实用新型]芯片内部地平面版图结构有效
| 申请号： | 202022936320.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN213845271U | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 崔露霞;边亚磊;刘新宇;刘芮;朱影 | 申请（专利权）人： | 思诺威科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 张明明 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 内部 平面 版图 结构 | ||
1.芯片内部地平面版图结构，其特征在于，
所述芯片内部地平面版图采用地线单元阵列进行平面铺设，地线单元阵列包括多个相互之间能够完整对接的地线单元，
每个地线单元包括有源层和k层金属，有源层与第一层金属之间采用多个通孔连接，第一层金属与第二层金属之间采用多个通孔连接，以此类推，第k-1层金属与第k层金属之间采用多个通孔连接。
2.根据权利要求1所述的芯片内部地平面版图结构，其特征在于，
以工艺规则要求的金属密度为限值，各层金属的宽度按最大值设计。
3.根据权利要求1所述的芯片内部地平面版图结构，其特征在于，
有源层与第一层金属之间通孔的数量由有源层与第一层金属投影重叠的面积决定，相邻两层金属之间通孔的数量由相邻两层金属投影重叠的面积决定。
4.根据权利要求1所述的芯片内部地平面版图结构，其特征在于，
所述地线单元阵列铺设在被保护信号线的正上方，为被保护信号线提供接地通路，被保护信号线与地线单元阵列之间通过各层金属之间的多个通孔连接。
5.根据权利要求1所述的芯片内部地平面版图结构，其特征在于，
所述地线单元阵列铺设在被保护信号线的正下方，为被保护信号线提供接地通路，被保护信号线与地线单元阵列之间通过各层金属之间的多个通孔连接。
6.根据权利要求1所述的芯片内部地平面版图结构，其特征在于，
被保护信号线从地线单元阵列中穿过时，将各地线单元中第m层金属删除，并将被保护信号线作为第m层，其中1≤m≤k；
与被保护信号线相邻的第m-1层金属和第m+1层金属为被保护信号线提供接地通路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
