[实用新型]MOS管驱动泄放电路有效

专利信息
申请号: 202022936631.8 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN214337793U 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 陈绍源;何俐鹏;王敏 申请(专利权)人: 深圳微慕科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M1/08
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 杜海东
地址: 518054 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: mos 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种MOS管驱动泄放电路,用于待驱动MOS管的驱动和泄放,其特征在于,包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路,所述光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号,光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端,驱动电源的负输出端连接第一参考地,光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极,电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极,驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极,驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端,驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端,驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。

2.根据权利要求1所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述驱动支路包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2,所述MOS管Q1的栅极连接光耦U1的集电极,MOS管Q1的源极连接驱动电源的正输出端,MOS管Q1的漏极分别连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极,二极管D1的阴极连接电阻R1的一端,二极管D2的阴极连接电阻R2的一端,电阻R1的另一端为驱动支路的驱动端,电阻R2的另一端为驱动支路的接地端。

3.根据权利要求2所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述泄放支路包括MOS管Q2和二极管D3,所述二极管D3的阳极为泄放支路的输入端,所述MOS管Q2的栅极连接二极管D2的阴极,MOS管Q2的源极连接二极管D3的阴极,MOS管Q2的漏极为泄放支路的接地端。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述的第一参考地和第二参考地为同一参考地。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述驱动电源的输出电压为12V。

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