[实用新型]MOS管驱动泄放电路有效
申请号: | 202022936631.8 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN214337793U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 陈绍源;何俐鹏;王敏 | 申请(专利权)人: | 深圳微慕科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M1/08 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 杜海东 |
地址: | 518054 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mos 驱动 电路 | ||
1.一种MOS管驱动泄放电路,用于待驱动MOS管的驱动和泄放,其特征在于,包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路,所述光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号,光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端,驱动电源的负输出端连接第一参考地,光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极,电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极,驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极,驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端,驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端,驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。
2.根据权利要求1所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述驱动支路包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2,所述MOS管Q1的栅极连接光耦U1的集电极,MOS管Q1的源极连接驱动电源的正输出端,MOS管Q1的漏极分别连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极,二极管D1的阴极连接电阻R1的一端,二极管D2的阴极连接电阻R2的一端,电阻R1的另一端为驱动支路的驱动端,电阻R2的另一端为驱动支路的接地端。
3.根据权利要求2所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述泄放支路包括MOS管Q2和二极管D3,所述二极管D3的阳极为泄放支路的输入端,所述MOS管Q2的栅极连接二极管D2的阴极,MOS管Q2的源极连接二极管D3的阴极,MOS管Q2的漏极为泄放支路的接地端。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述的第一参考地和第二参考地为同一参考地。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的MOS管驱动泄放电路,其特征在于,所述驱动电源的输出电压为12V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳微慕科技有限公司,未经深圳微慕科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022936631.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机械加工自动送料机构
- 下一篇:电压转电流采样电路
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置