[实用新型]MOS管驱动泄放电路

说明书

本实用新型公开了一种MOS管驱动泄放电路，包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路，光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号，光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端，驱动电源的负输出端连接第一参考地，光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极，电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极，驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极，驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端，驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端，驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。本实用新型适用于MOS管驱动和泄放电路中驱动电源与MOS管的漏极所连接电源地不是同一个的场合，电路简单，性能稳定，使用更加广泛。

技术领域

本实用新型涉及MOS管驱动技术领域，尤其涉及一种具有不同参考地的MOS管驱动泄放电路。

背景技术

在设计MOS管的驱动电路时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的还要考虑MOSFET的本身一些参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路和泄放电路等，都会影响MOSFET的开关性能。好的MOS管驱动电路涉及以下几点：

(1)开关驱动瞬间能够提供MOS管需要的驱动电流;

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOS管栅源极间电压保持稳定且可靠导通;

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路，供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

因此MOS管的驱动泄放电路设计尤为重要，尤其在高速的MOS管开关电路中体现更明显。现阶段的MOS管驱动泄放电路主要以下几种：

1、单电阻泄放，电路简单但效果较差；

2、驱动IC的吸收，主要以驱动IC的性能为主，受制于驱动IC的性能；

3、电阻加二极管的方式泄放，电路相对简单，电流的泄放较慢。

目前现有的驱动的泄放电路都是在同一个电压平面中进行设计，如遇需要驱动电源与MOS管的漏极不是同一个电源地平台时就无法使用。

实用新型内容

本实用新型提出一种MOS管驱动泄放电路以解决上述技术问题。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：

一种MOS管驱动泄放电路，用于待驱动MOS管的驱动和泄放，包括光耦U1、驱动电源、电感L1、驱动支路和泄放支路，所述光耦U1的正极和负极用于接入驱动信号，光耦U1的集电极通过电阻R3连接驱动电源的正输出端，驱动电源的负输出端连接第一参考地，光耦U1的发射极通过电阻R4连接待驱动MOS管的漏极，电感L1的一端连接待驱动MOS管的栅极，驱动支路的输入端连接光耦U1的集电极，驱动支路的电源端连接驱动电源的正输出端，驱动支路的驱动端、泄放支路的输入端均连接电感L1的另一端，驱动支路的接地端、泄放支路的接地端、待驱动MOS管的漏极均连接至第二参考地。

作为优选，所述驱动支路包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1和电阻R2，所述MOS管Q1的栅极连接光耦U1的集电极，MOS管Q1的源极连接驱动电源的正输出端，MOS管Q1的漏极分别连接二极管D1的阳极、二极管D2的阳极，二极管D1的阴极连接电阻R1的一端，二极管D2的阴极连接电阻R2的一端，电阻R1的另一端为驱动支路的驱动端，电阻R2的另一端为驱动支路的接地端。

作为优选，所述泄放支路包括MOS管Q2和二极管D3，所述二极管D3的阳极为泄放支路的输入端，所述MOS管Q2的栅极连接二极管D2的阴极，MOS管Q2的源极连接二极管D3的阴极，MOS管Q2的漏极为泄放支路的接地端。

作为优选，所述的第一参考地和第二参考地为同一参考地。