[实用新型]一种具有复合尺寸的LED芯片

权利要求书

1.一种具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、切割道、以及设于外延层上的电极；

所述外延层设有n个波长区域，n≥2，每个波长区域的外延层的波长不同；

所述切割道沿着外延层的表面贯穿至衬底表面，所述切割道将外延层分隔成多个发光结构，其中，位于同一波长区域的发光结构尺寸相同，不同波长区域的发光结构尺寸不同。

2.如权利要求1所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述切割道设有至少两种尺寸，其中，所述切割道的尺寸数量与波长区域的数量相对应。

3.如权利要求2所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述外延层设有中心波长区域和边缘波长区域，所述边缘波长区域位于中心波长区域的四周；

所述切割道包括第一切割道和第二切割道，所述第一切割道设于同一个波长区域的发光结构之间，所述第二切割道设于不同波长区域的发光结构之间。

4.如权利要求3所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述第二切割道的宽度大于所述第一切割道的宽度。

5.如权利要求4所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述第一切割道的宽度为14～16μm，所述第二切割道的宽度大于等于20μm。

6.如权利要求5所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述第二切割道的宽度为20～25μm。

7.如权利要求3所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述中心波长区域的发光结构的尺寸大于所述边缘波长区域的发光结构的尺寸。

8.如权利要求3所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述中心波长区域的发光结构的尺寸小于所述边缘波长区域的发光结构的尺寸。

9.如权利要求1所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，波长在±1nm范围内的外延层为同一波长区域，超出范围的外延层为不同波长区域。

10.如权利要求1所述的具有复合尺寸的LED芯片，其特征在于，所述衬底为2寸、4寸、6寸或8寸的蓝宝石衬底、硅衬底或氮化硅衬底。