[实用新型]一种具有复合尺寸的LED芯片有效

专利信息
申请号: 202022939584.2 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN213583841U 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 崔永进 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/24 分类号: H01L33/24;H01L33/02;H01L33/00;H01L21/78
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫;李素兰
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 复合 尺寸 led 芯片
【说明书】:

本实用新型公开了一种具有复合尺寸的LED芯片,包括衬底、外延层、切割道、以及设于外延层上的电极;所述外延层设有n个波长区域,n≥2,每个波长区域的外延层的波长不同;所述切割道沿着外延层的表面贯穿至衬底表面,所述切割道将外延层分隔成多个发光结构,其中,位于同一波长区域的发光结构尺寸相同,不同波长区域的发光结构尺寸不同。本实用新型根据外延层的波长分布将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的发光结构,其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的发光结构,以提高芯片成品良率,出货效率,以及减少不同波段芯片的库存。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种具有复合尺寸的LED芯片。

背景技术

LED光源已经成为日常生活应用面最广的光源,随处可见的日光灯、路灯、电视用的背光灯、手机用的闪光灯,都采用LED光源。由于衬底为圆形,受外延层工艺的影响,如气体、温度等的分布不均匀,位于圆中心区域的外延层的波长比较集中,位于边缘的外延层的波长比较分散,现有芯片将一个LED晶圆制成同一个尺寸的LED芯片,对应位于LED晶圆中心区域和边缘区域的LED芯片,波长离散,成品良率底,造成能出货的过少,因此如何有效的提升LED芯片的良率,已成为当前一个重要课题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种具有复合尺寸的LED芯片,根据外延层的波长分布将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的发光结构,其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的发光结构,以提高芯片成品良率,出货效率,以及减少不同波段芯片的库存。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种具有复合尺寸的LED芯片,其特征在于,包括衬底、外延层、切割道、以及设于外延层上的电极;

所述外延层设有n个波长区域,n≥2,每个波长区域的外延层的波长不同;

所述切割道沿着外延层的表面贯穿至衬底表面,所述切割道将外延层分隔成多个发光结构,其中,位于同一波长区域的发光结构尺寸相同,不同波长区域的发光结构尺寸不同。

作为上述方案的改进,所述切割道设有至少两种尺寸,其中,所述切割道的尺寸数量与波长区域的数量相对应。

作为上述方案的改进,所述外延层设有中心波长区域和边缘波长区域,所述边缘波长区域位于中心波长区域的四周;

所述切割道包括第一切割道和第二切割道,所述第一切割道设于同一个波长区域的发光结构之间,所述第二切割道设于不同波长区域的发光结构之间。

作为上述方案的改进,所述第二切割道的宽度大于所述第一切割道的宽度。

作为上述方案的改进,所述第一切割道的宽度为14~16μm,所述第二切割道的宽度大于等于20μm。

作为上述方案的改进,所述第二切割道的宽度为20~25μm。

作为上述方案的改进,所述中心波长区域的发光结构的尺寸大于所述边缘波长区域的发光结构的尺寸。

作为上述方案的改进,所述中心波长区域的发光结构的尺寸小于所述边缘波长区域的发光结构的尺寸。

作为上述方案的改进,波长在±1nm范围内的外延层为同一波长区域,超出范围的外延层为不同波长区域。

作为上述方案的改进,所述衬底为2寸、4寸、6寸或8寸的蓝宝石衬底、硅衬底或氮化硅衬底。

实施本实用新型,具有如下有益效果:

本实用新型根据外延层的波长分布将外延层划分成多个波长不同的波长区域,并将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的发光结构,其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的发光结构,最终制得具有复合尺寸的LED芯片。本实用新型可以根据芯片的尺寸来区分芯片的波长,即同一尺寸的芯片在同一波段范围,这样可以提高芯片成品良率,出货效率,以及减少不同波段芯片的库存。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022939584.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top