[实用新型]半导体元件的清洗刷及其清洗装置

说明书

本申请提供一种半导体元件的清洗刷及其清洗装置，清洗刷用于清洗转动中的半导体元件。清洗刷具有旋转中心，沿旋转中心的方向，清洗刷形成有中间段以及与中间段邻接的边缘段，边缘段截面的最大外径大于中间段截面的最大外径。本申请实施例提供的半导体元件的清洗刷及其清洗装置，通过设置清洗刷边缘段截面的最大外径大于中间段截面的最大外径，可以有效提高清洗刷对半导体元件清洗作用的均匀性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体元件的清洗刷及其清洗装置。

背景技术

在半导体制造技术中，往往需要采用化学机械抛光工艺(Chemical MechanicalPolish,CMP)对半导体元件如晶圆或者基板等的表面进行平坦化处理，然而在CMP工艺后，半导体元件的表面往往残留有化合物、颗粒和金属杂质等表面污染物，这些表面污染物将影响半导体元件加工的下一道工艺，进而影响半导体成品的性能和可靠性。为此，需要在CMP工艺后对半导体元件进行刷洗以除去其表面污物。

现有技术中通常采用清洗刷对半导体元件进行清洗，而在清洗的过程中，由于半导体元件的中心区域的线速度小于边缘区域的线速度，导致半导体元件的中心区域频繁接触清洗刷，进而使得半导体元件的中心区域相对于边缘区域存在过度清洗的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例期望提供一种半导体元件的清洗刷及其清洗装置，以解决半导体元件的中心区域相对于边缘区域过渡清洗的问题。

为达到上述目的，本申请实施例的一方面提供一种半导体元件的清洗刷，用于清洗转动中的所述半导体元件，其特征在于，所述清洗刷具有旋转中心，沿所述旋转中心的方向，所述清洗刷形成有中间段以及与所述中间段的两端邻接的边缘段，所述边缘段截面的最大外径大于所述中间段截面的最大外径。

进一步地，由靠近所述中间段的一端向外，所述边缘段截面的直径逐渐增大。

进一步地，所述清洗刷包括清洗刷本体和形成在所述清洗刷本体上的凸体，所述凸体用于清洗所述半导体元件。

进一步地，所述边缘段的所述清洗刷本体的最大截面与最小截面的共同切面与所述旋转中心的夹角为α，5°≤α≤60°；和/或，

所述边缘段的所述清洗刷本体的最大截面与最小截面的半径差值为D， 1mm≤D≤15mm；和/或，

所述凸体的形状为圆柱形、圆台形或多棱柱形。

进一步地，所述清洗刷本体包括转轴和套接在所述转轴上的套筒，所述凸体形成在所述套筒上。

进一步地，所述转轴的所述边缘段截面的最大外径大于所述中间段截面的最大外径。

本申请实施例提供的清洗刷，通过设置边缘段截面的最大外径大于中间段截面的最大外径，可以有效地保证清洗刷对半导体元件清洗作用的均匀性，从而使得半导体元件的表面更加均匀。

本申请实施例的另一方面提供一种清洗装置，包括：

支撑组件，用于支撑所述半导体元件，所述半导体元件能够旋转；

以上任意一实施例提供的清洗刷，所述半导体元件的两侧表面均设置有所述清洗刷，两侧的所述清洗刷的所述边缘段对所述半导体元件的夹持力大于所述中间段对所述半导体元件的夹持力；以及

第一驱动组件，用于驱动所述清洗刷转动。

进一步地，每一所述半导体元件对应至少一对所述清洗刷，每对所述清洗刷的所述旋转中心相互平行。

进一步地，所述支撑组件包括第二驱动组件和滚轮，所述第二驱动组件驱动所述滚轮转动，所述滚轮与所述半导体元件的外边缘接触，以驱动所述半导体元件旋转。

进一步地，所述滚轮上形成有凹槽，所述半导体元件夹持在所述凹槽内；和/或，