[实用新型]一种采用旋转结构的多断口激励熔断器有效
申请号: | 202022971231.0 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN214428589U | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 段少波;王欣;石晓光;戈西斌 | 申请(专利权)人: | 西安中熔电气股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/05 | 分类号: | H01H85/05;H01H85/055;H01H85/38;H01H85/175;H01H85/00;H01H71/12 |
代理公司: | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人: | 胡思棉 |
地址: | 710077 陕西省西安市高新区锦业路69*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 旋转 结构 断口 激励 熔断器 | ||
1.一种采用旋转结构的多断口激励熔断器,包括壳体、穿设在壳体中的导电板、及自上而下设置在导电板上方的气体发生装置和活塞,其特征在于壳体内导电板长度方向两端的壳体上分别开设有圆弧形凹槽;在位于所述壳体内的导电板的中心部位及位于所述圆弧形凹槽处的导电板处分别设置有断开薄弱处;在断开薄弱处间的导电板下面分别固定设置有可沿所述圆弧形凹槽位移的旋转支撑块;所述活塞的冲击端正对所述导电板中心部位的断开薄弱处;当断开时,所述旋转支撑块可带动位于其上面的导电板部分位移至所述圆弧形凹槽内。
2.根据权利要求1所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于在所述导电板下方正对所述活塞的壳体上开设有空腔;当所述活塞向下位移至死点位置时,所述旋转支撑块及断开后固定于其上的导电板部分可位移至圆弧形凹槽中;所述活塞冲击端过盈配合于正对的所述空腔中。
3.根据权利要求2所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于在所述空腔的两侧可设置灭弧腔室;所述灭弧腔室中可填充灭弧介质。
4.根据权利要求1所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于沿导电板宽度方向的旋转支撑块的两端通过旋转轴固定在壳体上。
5.根据权利要求1所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于所述断开薄弱处为断开凹口。
6.根据权利要求5所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于所述断开凹口设置在所述导电板的一面或上下两面;所述断开凹口形状为U型、V型或其结合形状。
7.根据权利要求1所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于所述壳体包括顶壳体、中壳体和下壳体;所述顶壳体位于中壳体上面,所述导电板位于中壳体与下壳体的接触面间;所述气体发生装置设置在顶壳体中,所述活塞位于所述中壳体中,所述圆弧形凹槽位于中壳体和下壳体组成的壳体内壁上;在顶壳体和中壳体外周套设有压筒;位于导电板下方的正对活塞的空腔位于所述下壳体中。
8.根据权利要求1所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于所述旋转支撑块沿所述圆弧形凹槽位移的外周面为弧形结构;所述导电板下面的旋转支撑块靠近壳体壁的部分贴合在位于所述导电板下面的所述圆弧形凹槽部分中;当活塞向下运行至死点位置时,所述旋转支撑块带着断开的导电板部分以过盈配合方式完全贴合在所述圆弧形凹槽内。
9.根据权利要求1至8任一所述的采用旋转结构的多断口激励熔断器,其特征在于,将其应用在配电单元、储能设备、或新能源汽车上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安中熔电气股份有限公司,未经西安中熔电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022971231.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:促进偏瘫病人触觉恢复锻炼的装置
- 下一篇:一种防止漏板受应力变形的活动框架